时间：2023/7/26 17:56:56
阅读：781
产品型号 | CSD18531Q5A |
描述 | 场效应管N-CH 60V 8SON |
分类 | 分立半导体产品，晶体管-FET，MOSFET-单 |
制造商 | 德州仪器 |
系列 | NexFET? |
打包 | 切割带(CT) |
零件状态 | 活性 |
工作温度 | -55°C?150°C(TJ) |
供应商设备包装 | 8-VSONP(5x6) |
包装/箱 | 8电源TDFN |
CSD18531Q5A
制造商包装说明 | VSONP-8 |
符合欧盟RoHS | 是 |
状态 | 活性 |
雪崩能量等级(Eas) | 224.0兆焦耳 |
案例连接 | 排水 |
组态 | 单头内置二极管 |
最大漏极电流(Abs)(ID) | 100.0安 |
最大漏极电流(ID) | 19.0安 |
最大电阻下的漏源 | 0.0058欧姆 |
DS击穿电压-最小值 | 60.0伏 |
反馈上限(Crss) | 14.0 pF |
场效应管技术 | 金属氧化物半导体 |
JESD-30代码 | R-PDSO-F5 |
JESD-609代码 | e3 |
技术 | MOSFET(金属氧化物) |
漏极至源极电压(Vdss) | 60伏 |
电流-25°C时的连续漏极(Id) | 19A(Ta)，100A(Tc) |
驱动电压(最大Rds开启，最小Rds开启) | 4.5V，10V |
Rds On(Max)@ Id，Vgs | 4.6毫欧@ 22A，10V |
Vgs(th)(最大值)@ ID | 2.3V @ 250μA |
栅极电荷(Qg)(最大值)@ Vgs | 10V时为43nC |
Vgs(最大值) | ±20V |
输入电容(Ciss)(最大值)@ Vds | 3840pF @ 30V |
耗散功率(最大值) | 3.1W(Ta)，156W(Tc) |
元素数 | 1.0 |
端子数 | 5 |
操作模式 | 增强模式 |
最低工作温度 | -55℃ |
最高工作温度 | 175℃ |
包装主体材料 | 塑料/环氧树脂 |
包装形状 | 长方形 |
包装形式 | 小轮廓 |
峰值回流温度(℃) | 260 |
极性/通道类型 | N通道 |
最大功耗(Abs) | 156.0瓦 |
脉冲漏极电流最大值(IDM) | 122.0安 |
子类别 | FET通用电源 |
安装类型 | 表面贴装 |
终端完成 | 磨砂锡(Sn) |
终端表格 | 平面 |
终端位置 | 双 |
时间@峰值回流温度最大值(秒) | 未标明 |
晶体管应用 | 交换 |
晶体管元件材料 | 硅 |
附加功能 | AVALANCHE额定，逻辑级别兼容 |
无铅状态/ RoHS状态 | 含铅/符合ROHS3 |
水分敏感性水平(MSL) | 1(无限制) |
超低Q g和Q gd
低热阻
雪崩等级
逻辑水平
无铅端子电镀
符合RoHS
无卤素
VSONP 5 mm×6 mm塑料封装
电源管理
电机驱动和控制
CSD18531Q5A符号
CSD18531Q5A脚印
