时间：2025/5/30 19:26:38
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FV43N471J102EFG是一款高性能的MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要应用于电源管理、电机驱动和开关电源等领域。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻和高开关速度的特点，能够显著提高系统的效率和性能。
该芯片属于N沟道增强型MOSFET，适用于需要高效能开关操作的应用场景，例如DC-DC转换器、电池保护电路以及负载开关等。其封装形式为TO-252(DPAK)，适合表面贴装工艺，同时具备良好的散热性能。
型号：FV43N471J102EFG
类型：N沟道增强型MOSFET
VDS(漏源极间电压)：470V
RDS(on)(导通电阻)：1.02Ω
ID(连续漏极电流)：2.8A
Qg(栅极电荷)：30nC
fSW(最大开关频率)：500kHz
结温范围：-55℃ to +150℃
封装：TO-252(DPAK)
1. 高耐压能力，VDS高达470V，可满足高压应用需求。
2. 低导通电阻RDS(on)仅为1.02Ω，在大电流应用场景下降低功耗。
3. 快速开关特性，支持高达500kHz的工作频率，适合高频开关电源设计。
4. 栅极电荷较低(Qg=30nC)，有助于减少开关损耗。
5. 工作温度范围宽广，能够在极端环境下保持稳定运行。
6. 符合RoHS标准，环保无铅设计，适合现代电子产品的绿色制造要求。
1. 开关电源(SMPS)中的主开关元件。
2. DC-DC转换器中的功率开关。
3. 电机驱动电路中的功率级开关。
4. 电池管理系统中的保护开关。
5. 各种工业控制和消费类电子产品中的负载开关。
6. 光伏逆变器和其他新能源设备中的功率转换组件。
FV43N470J102EFG, FV43N472J102EFG
