时间：2025/9/3 22:34:43
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FM28V202-TG 是由 Cypress Semiconductor（现为 Infineon Technologies）推出的一款非易失性 SRAM（NVRAM）存储器芯片。该器件结合了高速 SRAM 的读写性能与非易失性存储技术，能够在断电情况下保存数据，而无需外部电池支持。该芯片采用先进的铁电存储技术（FRAM）实现数据的高速、低功耗和高耐久性，适用于需要频繁写入和高可靠性应用场景。
容量：2Mbit（256K x 8）
组织结构：x8
工作电压：2.7V - 3.6V
访问时间：55ns（最大）
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
封装类型：TSOP
引脚数：54
接口类型：并行异步
写入耐久性：10^14 次/位
数据保留时间：超过10年（无电源）
FM28V202-TG 采用铁电随机存取存储器（FRAM）技术，与传统的NVRAM解决方案相比，具有显著的优势。其主要特性包括高速读写能力，访问时间低至55ns，适合需要快速数据存储的应用；具备卓越的写入耐久性，每个存储位可承受高达10^14次写入操作，极大延长了设备的使用寿命；无需电池供电即可在断电时保持数据完整性，避免了电池备份带来的复杂性和维护成本；该芯片具有宽广的工作温度范围（-40°C 至 +85°C），适用于工业级和汽车级环境；此外，FM28V202-TG 支持无限次写入操作，消除了传统EEPROM或Flash中常见的写入延迟问题，使其非常适合需要频繁数据记录的场景。
另外，该芯片具备低功耗特性，即使在高频率操作下也能保持节能运行，非常适合便携式设备和低功耗系统。其并行异步接口兼容多种微控制器和嵌入式平台，便于集成到现有设计中。同时，该芯片具有良好的抗辐射和抗干扰能力，适用于航空航天、工业控制和医疗设备等高要求领域。
FM28V202-TG 广泛应用于需要高速、高可靠性与非易失性存储的系统中。例如，在工业自动化设备中用于实时数据记录和配置存储；在智能电表和能源管理系统中，用于保存计量数据和事件日志；在医疗设备中，用于存储关键的患者数据和设备校准信息；在车载电子系统中，用于记录故障代码和操作参数；同时，该芯片也适用于安全监控设备、POS终端、数据采集系统和嵌入式控制系统等领域。
FM28V204-TG, FM28V102-No-lead, CY14B102Q-SX
