时间：2025/5/28 11:44:56
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FV43N331J302EFG 是一款高性能的 N 沟道增强型功率 MOSFET，专为高效率和低损耗应用而设计。该器件采用先进的制造工艺，能够提供较低的导通电阻和较高的开关速度，适用于多种工业和消费类电子产品中的功率转换和电机驱动场景。
该型号隶属于富士电机（Fuji Electric）的 Power MOSFET 系列，具有出色的热稳定性和可靠性，可满足严苛的工作环境需求。
最大漏源电压：330V
连续漏极电流：43A
导通电阻（典型值）：30mΩ
栅极电荷：55nC
开关时间：开通延迟时间 90ns，关断传播时间 65ns
工作结温范围：-55℃ 至 +175℃
1. 极低的导通电阻，有效降低传导损耗，提升系统效率。
2. 高速开关性能，适合高频应用场合。
3. 优异的雪崩耐量能力，确保在过载或短路情况下仍能正常工作。
4. 小型化封装设计，节省 PCB 布局空间。
5. 符合 RoHS 标准，环保且可靠。
6. 内置保护功能（如过流保护等），增强了整体系统的安全性。
1. 开关电源（SMPS）
2. 直流-直流转换器
3. 电机驱动与控制
4. 太阳能逆变器
5. 工业自动化设备中的功率管理模块
6. LED 驱动器及照明系统
7. 各种需要高效功率转换的电子设备
FV43N331J302EFK, IRFP460, STP40NF30L
