GMC04CG120J16NT是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要应用于高频开关电源、DC-DC转换器以及电机驱动等场景。该芯片采用了先进的制程工艺,在确保高效率的同时降低了导通和开关损耗。此外,它具有优异的热性能和可靠性,能够在严苛的工作环境下稳定运行。
GMC04CG120J16NT属于N沟道增强型MOSFET,其封装形式为TO-252(DPAK),具备低导通电阻和快速开关速度的特点。这款器件非常适合需要高效能和高可靠性的工业及消费类电子产品。
最大漏源电压:120V
连续漏极电流:16A
导通电阻(典型值):4mΩ
栅极电荷:12nC
反向恢复时间:8ns
工作温度范围:-55℃ 至 +175℃
1. 极低的导通电阻,能够有效降低功耗并提升系统效率。
2. 快速开关特性,支持高频操作,减少磁性元件体积。
3. 高耐压能力,适用于多种电压等级的应用场景。
4. 内置ESD保护功能,增强了芯片在实际使用中的抗静电能力。
5. 紧凑型封装设计,便于PCB布局和散热管理。
6. 符合RoHS标准,环保且满足国际法规要求。
1. 开关电源(SMPS)
2. DC-DC转换器
3. 电机驱动控制
4. 充电器电路
5. 逆变器模块
6. 工业自动化设备中的功率控制单元
7. 汽车电子系统中的负载切换
IRFZ44N, FDP55N10, AON6816