时间：2025/5/24 10:46:27
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FV43N221J102ECG 是一款由 Fairchild（现为 ON Semiconductor）生产的 N 沟道增强型 MOSFET。该器件采用先进的半导体制造工艺，具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能，适用于多种功率转换应用。
该器件的主要特点包括高效率、小尺寸封装以及良好的电磁兼容性表现。其封装形式为 DPAK（TO-252），适合表面贴装技术（SMT），广泛应用于消费电子、工业控制和通信设备领域。
最大漏源电压：220V
连续漏极电流：4.3A
导通电阻：1.1Ω
栅极电荷：17nC
开关时间：ton=86ns, toff=35ns
工作温度范围：-55℃至175℃
FV43N221J102ECG 具有以下显著特性：
1. 高耐压能力，能够承受高达 220V 的漏源电压，非常适合高压应用场景。
2. 极低的导通电阻（1.1Ω），在高电流负载下可有效降低功耗并提升效率。
3. 快速开关速度，得益于较小的栅极电荷，使其能够在高频应用中表现出色。
4. 宽广的工作温度范围（-55℃ 至 175℃），确保了在极端环境下的可靠运行。
5. 封装形式为 DPAK (TO-252)，具备较高的散热性能，同时支持表面贴装技术，简化了生产流程。
6. 符合 RoHS 标准，环保且满足现代电子产品对绿色设计的要求。
FV43N221J102ECG 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中的同步整流和功率因数校正（PFC）。
2. DC-DC 转换器，特别是在需要高效能量转换的应用中。
3. 电机驱动电路，用于工业自动化设备或家用电器。
4. 照明系统，如 LED 驱动器。
5. 各种保护电路，例如过流保护、短路保护等。
6. 通信设备中的信号处理与功率管理模块。
由于其优异的性能和可靠性，该器件在众多行业和应用场合中都得到了广泛应用。
FV43N220J102ECG, IRFZ44N, FDP15N20
