时间：2025/6/4 2:20:58
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FV43N102J302EGG 是一款由富士电机（Fuji Electric）生产的高压 N 沟道功率 MOSFET。该器件采用 TO-264 封装形式，广泛用于开关电源、逆变器和电机驱动等高功率应用中。其设计旨在提供低导通电阻和高效率，同时具备良好的热性能和电气特性。
该芯片具有出色的耐用性和可靠性，适用于工业和消费类电子领域中的多种场景。
型号：FV43N102J302EGG
封装：TO-264
额定电压：1000V
额定电流：43A
导通电阻：0.28Ω（典型值，在 Vgs=15V 时）
栅极电荷：70nC（最大值）
输入电容：1200pF（典型值）
漏源极击穿电压：1200V（最小值）
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
存储温度范围：-55°C 至 +150°C
这款功率 MOSFET 的主要特点包括以下几点：
1. 高额定电压：支持高达 1000V 的漏源极电压，适合高压应用。
2. 低导通电阻：在 Vgs=15V 时的导通电阻为 0.28Ω，有助于降低传导损耗。
3. 快速开关速度：优化的栅极电荷和输入电容设计，减少开关时间并提高效率。
4. 良好的热性能：采用 TO-264 封装，提供优异的散热能力，确保在高功率环境下的稳定运行。
5. 宽工作温度范围：能够在 -55°C 至 +150°C 的范围内可靠工作，适应各种恶劣条件。
6. 高可靠性：经过严格测试，具备出色的耐用性和稳定性，适用于长时间运行的工业设备。
FV43N102J302EGG 主要应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）：作为主开关管，提供高效稳定的能量转换。
2. 逆变器：用于太阳能逆变器和 UPS 系统中的功率转换模块。
3. 电机驱动：控制直流无刷电机和其他类型的电动机。
4. 工业自动化设备：如焊接机、变频器等高功率应用场景。
5. 消费类电子产品：例如空调压缩机驱动、家用电器中的功率控制单元。
FV40N102J302EGG, FV45N102J302EGG
