FV43N101J102ECG 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET,由 Fairchild(现为 ON Semiconductor)生产。该器件采用先进的半导体工艺制造,具有低导通电阻和高开关速度的特点,广泛应用于各种电力电子领域,如开关电源、电机驱动和 DC-DC 转换器等。其封装形式为 DPAK(TO-252),适合表面贴装技术(SMT)。这种 MOSFET 在高效能应用中表现出色,能够显著降低功率损耗。
由于其出色的电气特性和可靠性,FV43N101J102ECG 成为许多工程师设计中的首选器件之一。此外,该型号的命名方式遵循了制造商的标准命名规则,其中包含关于电压、电流、封装类型和其他关键参数的信息。
最大漏源电压:100V
连续漏极电流:4.3A
导通电阻(典型值):17mΩ
栅极电荷:8nC
输入电容:600pF
工作温度范围:-55℃ 至 +150℃
封装类型:DPAK(TO-252)
FV43N101J102ECG 的主要特性包括以下几点:
1. 低导通电阻:其导通电阻仅为 17mΩ(典型值),这有助于减少导通损耗并提高整体效率。
2. 高开关速度:该 MOSFET 具有较低的栅极电荷和输入电容,从而实现更快的开关速度,适用于高频开关应用。
3. 热稳定性:该器件能够在高达 150℃ 的结温下稳定运行
4. 表面贴装兼容性:DPAK 封装支持自动化表面贴装技术,提高了生产效率并减少了组装成本。
5. 静电防护:内置 ESD 保护机制,增强了器件的抗静电能力。
这些特性使得 FV43N101J102ECG 成为需要高性能和高可靠性的应用的理想选择。
FV43N101J102ECG 的典型应用领域包括:
1. 开关电源(SMPS):用于 AC-DC 和 DC-DC 转换器中的主开关或同步整流器。
2. 电机驱动:控制小型直流电机或步进电机的启动、停止和调速。
3. 电池管理:在电池充电和保护电路中用作负载开关或保护开关。
4. LED 驱动:调节电流以实现高效的 LED 照明。
5. 工业控制:用于各种工业设备中的功率控制和信号切换。
FV43N101J102ECG 的多功能性和高效性能使其成为上述应用中的关键组件。
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