时间：2025/6/24 17:00:30
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FV42X682K202EFG 是一款高性能的功率MOSFET芯片，广泛应用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器等电力电子领域。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能。其封装形式为行业标准，便于设计和安装，适合各种高效率、高密度的功率应用。
类型：N沟道 MOSFET
最大漏源电压(Vds)：60V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：50A
导通电阻(Rds(on))：2mΩ
栅极电荷(Qg)：100nC
总电容(Ciss)：3500pF
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
FV42X682K202EFG 具有卓越的电气性能和可靠性。
1. 极低的导通电阻（2mΩ），显著降低导通损耗，提高系统效率。
2. 高速开关能力，能够适应高频应用场合，减少开关损耗。
3. 出色的热性能，具备更高的功率处理能力和更长的使用寿命。
4. 强大的抗雪崩能力，增强了器件在异常条件下的稳健性。
5. 封装形式紧凑，适合高密度设计需求。
6. 工作温度范围宽广，适用于极端环境下的应用。
这些特点使得 FV42X682K202EFG 成为众多功率转换和控制应用的理想选择。
FV42X682K202EFG 广泛应用于以下领域：
1. 开关模式电源(SMPS)，如适配器、充电器等。
2. 电机驱动电路，用于家用电器、工业设备等。
3. DC-DC转换器，用于汽车电子、通信设备等。
4. 逆变器和不间断电源(UPS)。
5. 太阳能逆变器和其他可再生能源系统。
由于其高性能和可靠性，这款芯片在需要高效功率管理的应用中表现尤为突出。
FV42X682K202EFA
FV42X682K202EFB
FV42X682K202EFC
