时间：2025/5/22 21:47:39
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FV42N151J302ECG 是一款由 Fairchild（现为 ON Semiconductor）生产的 N 沟道增强型 MOSFET。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻、高开关速度和良好的热性能，适用于各种功率转换和电机驱动应用。
这款 MOSFET 的电压等级为 150V，使其能够适应中等电压应用场景。其封装形式为 TO-263-3L（D2PAK），便于散热和电路板安装。
最大漏源电压：150V
连续漏极电流：42A
导通电阻（Rds(on)）：2.2mΩ（典型值，在 Vgs=10V 时）
栅极电荷：85nC（典型值）
开关时间：ton=19ns，toff=32ns（典型值）
工作结温范围：-55°C 至 +175°C
封装：TO-263-3L (D2PAK)
FV42N151J302ECG 具有以下主要特性：
1. 超低导通电阻（Rds(on)），可显著降低传导损耗，提高系统效率。
2. 快速开关性能，适合高频开关应用。
3. 高雪崩能量能力，增强了器件在异常条件下的可靠性。
4. 较低的栅极电荷和输出电容，有助于减少驱动损耗。
5. 符合 RoHS 标准，环保且满足现代设计需求。
6. 工作温度范围宽广，支持极端环境下的可靠运行。
该器件适用于多种电力电子应用领域，包括但不限于：
1. 开关电源（SMPS）中的主开关管。
2. 电机驱动器中的功率级开关。
3. DC-DC 转换器中的同步整流 MOSFET。
4. 太阳能逆变器和电池管理系统中的功率开关。
5. 各类工业控制和汽车电子设备中的功率切换元件。
FDP067N15A, IRFB4110TRPBF, STP40NF15W
