时间：2025/6/10 16:31:26
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CY27H512-45WI 是一款由 Cypress Semiconductor（现为 Infineon Technologies）生产的非易失性静态随机存取存储器（nvSRAM）。该器件结合了 SRAM 的高速性能和非易失性存储的特性，能够在系统掉电时通过内部电池或其他备用电源保存数据。
这种 nvSRAM 芯片适用于需要频繁写入和快速访问数据的应用场景，同时确保在断电情况下数据不会丢失。
容量：512Kb (64K x 8)
工作电压：4.5V 至 5.5V
数据保持时间：超过10年
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
封装形式：44 引脚 TQFP
访问时间：45ns
CY27H512-45WI 提供高性能、低功耗和高可靠性的数据存储解决方案。其主要特点包括：
1. 非易失性功能：通过集成的电池或备用电源实现数据保存，无需外部存储介质转换过程。
2. 快速访问速度：45ns 的访问时间使其适合实时数据处理应用。
3. 耐久性和可靠性：支持无限次读/写操作，并且具有高抗干扰能力。
4. 多种保护机制：提供硬件写保护引脚以防止意外写入数据。
5. 广泛的工作温度范围：适应工业环境下的不同温度需求。
CY27H512-45WI 常用于以下领域：
1. 工业自动化设备中的关键数据记录和存储。
2. 通信设备中的配置参数保存和日志记录。
3. 医疗设备的数据备份和历史记录管理。
4. 计量仪表中长期运行状态和测量数据的存储。
5. 其他需要高速读写与数据安全保存的应用场景。
CY27H512-45XI
CY27H512-45LWI
CY27H512-45T
