时间：2025/8/2 7:16:48
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AUIRFL024NTRPBF 是一款由 Infineon Technologies（英飞凌科技）推出的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件专为高效功率转换和开关应用而设计，适用于汽车电子、电源管理、DC-DC 转换器、电机控制以及负载开关等场景。该 MOSFET 采用先进的沟槽技术，具有低导通电阻（Rds(on)）、高电流能力和优异的热性能。该器件封装为 D2PAK（TO-263）形式，适合表面贴装，便于在高功率密度电路中使用。
类型：N 沟道 MOSFET
最大漏极电流（Id）：170A（Tc=100℃）
最大漏源电压（Vds）：30V
最大栅源电压（Vgs）：±20V
导通电阻（Rds(on)）：最大 2.4mΩ（在 Vgs=10V 时）
功率耗散（Ptot）：250W
工作温度范围：-55℃ 至 175℃
封装类型：D2PAK（TO-263）
安装类型：表面贴装
AUIRFL024NTRPBF 具备多项卓越性能，首先其极低的导通电阻（Rds(on)）显著降低了导通损耗，提高了系统效率。其最大导通电阻仅为 2.4mΩ，确保在高电流工作条件下仍能保持较低的功率损耗。
该 MOSFET 采用先进的沟槽式结构设计，优化了电流传导路径，增强了器件的电流处理能力。其最大连续漏极电流可达 170A，在高温环境下仍能维持稳定运行。
此外，AUIRFL024NTRPBF 具备出色的热管理性能，D2PAK 封装提供了良好的散热能力，使得器件在高功率应用中依然能够维持较低的工作温度，延长使用寿命并提高系统可靠性。
该器件的工作温度范围广泛，从 -55℃ 到 175℃，非常适合在极端环境条件下使用，如汽车电子系统、工业控制设备等。栅源电压范围为 ±20V，具有较强的栅极驱动兼容性，适用于多种控制电路。
该器件还具备快速开关能力，降低开关损耗，提升系统整体效率。其短路耐受能力也较强，有助于提高系统在异常情况下的稳定性与安全性。
AUIRFL024NTRPBF 主要应用于高功率 DC-DC 转换器、同步整流器、电机驱动器、电池管理系统、负载开关、电源管理模块以及汽车电子系统等场景。由于其高电流能力和低导通电阻，特别适合用于高效率、高功率密度的电源转换系统。在汽车电子领域，该器件常用于车载充电系统、起停系统、电动助力转向系统（EPS）以及电池管理系统（BMS）中。在工业应用中，AUIRFL024NTRPBF 可用于伺服电机控制、电源模块、工业自动化设备等，提供高效、可靠的功率开关功能。
IRF1404, AUIRF1404, AUIRFL030NTRPBF
