FV42N101J302EFG 是一款高性能的 N 沟道增强型 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。该器件采用了先进的制造工艺,具有低导通电阻、高开关速度和出色的热稳定性,适用于各种功率转换和电源管理应用。其封装形式为 DPAK(TO-252),能够有效提高散热性能并减少寄生电感影响。
该型号主要应用于开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动以及负载开关等场景,满足现代电子设备对效率和可靠性的要求。
最大漏源电压:100V
最大栅源电压:±20V
连续漏极电流:42A
导通电阻:2.8mΩ
总栅极电荷:76nC
输入电容:2090pF
工作温度范围:-55℃ 至 175℃
结温:175℃
FV42N101J302EFG 的核心特点是其超低的导通电阻(Rds(on)),仅为 2.8mΩ,这使得它在高电流应用场景下表现出极低的功耗损失。此外,该器件的高开关速度得益于较低的总栅极电荷值(76nC),从而降低了开关损耗,并允许在高频条件下高效运行。
其封装设计具备良好的散热性能,适合需要大功率处理的应用场合。同时,高达 175℃ 的工作温度范围确保了在恶劣环境下的稳定性和可靠性。此外,此 MOSFET 支持快速开启/关闭,非常适合硬开关及软开关拓扑结构。
FV42N101J302EFG 广泛应用于多种工业和消费类电子产品中,例如:
1. 开关模式电源(SMPS)中的主开关或同步整流元件。
2. DC-DC 转换器中的高端或低端开关。
3. 电动工具和家用电器内的电机驱动电路。
4. 电池保护和负载切换功能模块。
5. 高效能 LED 照明系统的驱动器组件。
由于其卓越的性能和耐用性,这款 MOSFET 成为众多工程师在设计高效功率系统时的理想选择。
FV42N101J302EFH, IRFZ44N, FDP040N10A