时间：2025/4/30 8:48:03
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BH30FB1WHFV-TR 是一款由 Rohm 生产的 N 沣道晶体管（N-MOSFET），采用 LFPAK56E 封装形式。该器件具有低导通电阻和快速开关特性，适合用于高效率功率转换应用，例如 DC/DC 转换器、负载开关和电机驱动等领域。
该型号设计注重降低传导损耗并提升整体系统效率，同时其紧凑的封装使其非常适合空间受限的应用场景。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：78A
导通电阻（典型值，Vgs=10V）：0.65mΩ
栅极电荷（典型值）：49nC
反向恢复时间：25ns
工作结温范围：-55℃ 至 +175℃
BH30FB1WHFV-TR 具有超低导通电阻 (Rds(on)) 和低栅极电荷 (Qg)，能够显著减少导通和开关损耗，从而提高功率转换效率。
其 LFPAK56E 封装采用铜夹技术，具备出色的热性能和电气性能，有助于进一步提升系统的可靠性和散热能力。
此外，该 MOSFET 支持高频开关操作，并且能够在高温环境下稳定运行，适用于严苛的工作条件。
该器件还通过了 AEC-Q101 认证，确保在汽车级应用中的高可靠性。
BH30FB1WHFV-TR 广泛应用于需要高效功率管理的场合，包括但不限于：
1. 汽车电子领域 - 电池管理系统 (BMS)、DC/DC 转换器、车载充电器 (OBC) 和电动助力转向系统 (EPS)。
2. 工业设备 - 高效电机驱动、逆变器和不间断电源 (UPS)。
3. 消费类电子产品 - 快速充电适配器和大功率音频放大器。
其卓越的性能和可靠性使其成为许多高性能应用的理想选择。
BH160FB1WHFV-TR
BSC015N06NS
IPW60R019P7
