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CY7C09569V-100BBC 发布时间 时间:2025/11/4 3:10:39 查看 阅读:11

CY7C09569V-100BBC 是由赛普拉斯半导体公司(Cypress Semiconductor)生产的一款高性能、低功耗的双端口静态随机存取存储器(Dual-Port Static RAM)。该器件专为需要高速数据共享和实时处理的应用场景设计,具备两个独立的数据访问端口,允许两个不同的系统或处理器同时对同一存储阵列进行读写操作,而无需复杂的仲裁机制。其容量为 32K x 16 位,即总共可存储 512K 位数据,适用于通信、工业控制、网络设备以及图像处理等领域。
  CY7C09569V-100BBC 采用标准的异步接口协议,支持高速地址和数据总线操作,最大访问时间为 100ns,能够满足大多数中高端嵌入式系统的性能需求。该芯片封装形式为 100 引脚 BGA(Ball Grid Array),具有良好的电气性能和散热特性,适合在紧凑型高密度 PCB 设计中使用。此外,它还集成了片上仲裁逻辑,用于管理两个端口对同一内存位置的并发访问,防止数据冲突,确保系统运行的稳定性和可靠性。

参数

制造商:Cypress Semiconductor
  产品系列:CY7C09569V
  存储容量:32K x 16 位
  组织结构:32K 地址 × 16 位宽
  访问时间:100ns
  工作电压:5V ± 10%
  输入/输出兼容性:TTL 电平
  封装类型:100-ball BGA (10×10 mm)
  工作温度范围:0°C 至 +70°C
  端口类型:双异步端口
  片上仲裁逻辑:支持
  中断功能:支持双向中断信号
  标志寄存器:支持(如 BUSY、INT 等)
  供电电流(典型值):约 180mA
  待机功耗:低功耗 CMOS 工艺实现

特性

CY7C09569V-100BBC 具备强大的双端口架构,允许两个独立的主机或处理器通过各自的地址、数据和控制总线同时访问同一块内存区域。这种并行访问能力极大地提升了系统间通信效率,特别适用于需要实时数据交换的多处理器系统。每个端口都拥有完整的控制信号组,包括片选(CE)、输出使能(OE)、写使能(WE)等,支持全异步操作模式,使得不同速度的处理器可以协同工作而不会产生时序冲突。
  该器件内置了先进的片上仲裁电路,当两个端口试图同时访问同一个内存地址时,内部优先级逻辑会自动判断哪个端口获得访问权,并通过 BUSY 信号通知被延迟的一方。这种方式避免了外部增加复杂仲裁逻辑的需求,简化了系统设计。此外,CY7C09569V 还提供了一套完整的中断机制,允许任一端口向对方发送中断请求,从而实现高效的事件驱动通信。例如,主处理器可以在完成数据写入后触发中断,通知协处理器读取新数据,显著提升响应速度。
  为了增强系统可靠性,该芯片采用了高抗噪设计和输出使能三态控制,有效减少总线竞争和信号反射问题。其 TTL 兼容的 I/O 接口便于与多种传统微处理器和控制器直接连接,无需额外的电平转换电路。制造工艺基于高性能 CMOS 技术,在保证高速运行的同时实现了较低的静态和动态功耗,有助于延长系统寿命并降低散热要求。整体设计兼顾性能、稳定性与易用性,是构建可靠双机通信平台的理想选择。

应用

CY7C09569V-100BBC 广泛应用于需要高效数据共享和实时交互的多处理器系统中。典型应用场景包括通信基础设施中的路由器与交换机,其中主控单元与网络处理单元可通过该双口 RAM 快速传递报文头信息或状态数据;在工业自动化领域,PLC 主站与远程 I/O 模块之间也可利用此芯片实现高速数据缓冲与同步。此外,在数字视频与图像处理系统中,图像采集模块与 DSP 处理器之间常使用此类双端口 SRAM 来暂存帧数据,以避免因处理延迟导致的数据丢失。
  在测试与测量仪器中,该器件可用于前端采集系统与后台分析处理器之间的桥梁,支持连续高速采样数据的无缝传输。军事与航空航天电子系统也常采用 CY7C09569V 系列器件,因其具备较高的稳定性和抗干扰能力,适合在严苛环境下长期运行。另外,由于其支持中断与标志寄存器机制,非常适合用于构建基于事件触发的通信协议栈或实时操作系统间的 IPC(进程间通信)机制。总之,凡是需要两个独立系统安全、快速、可靠地共享内存资源的场合,CY7C09569V-100BBC 都是一个成熟且值得信赖的解决方案。

替代型号

CY7C09569V-120BGC
  CY7C09569V-133BBC
  IS61WV51216BLL-10TLI

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CY7C09569V-100BBC参数

  • 数据列表CY7C09569V, CY7C09579V
  • 标准包装126
  • 类别集成电路 (IC)
  • 家庭存储器
  • 系列-
  • 格式 - 存储器RAM
  • 存储器类型SRAM - 双端口,同步
  • 存储容量576K(16K x 36)
  • 速度100MHz
  • 接口并联
  • 电源电压3 V ~ 3.6 V
  • 工作温度0°C ~ 70°C
  • 封装/外壳172-LFBGA
  • 供应商设备封装172-FBGA(15x15)
  • 包装托盘