BZT52H-C18,115 是一款由Nexperia(原恩智浦半导体的小信号部门)制造的表面贴装稳压二极管(齐纳二极管),其额定稳压电压为18V。该器件属于BZT52H系列,采用SOD-123封装,适用于各种需要电压稳定或参考电压的应用。齐纳二极管工作在反向击穿区域,提供稳定的电压输出,适用于低功率稳压场合。
类型:齐纳二极管
封装形式:SOD-123
稳压电压:18V
最大耗散功率:300mW
最大反向电流:100mA
工作温度范围:-55°C ~ +150°C
存储温度范围:-65°C ~ +150°C
BZT52H-C18,115 具备高稳定性和可靠性,适用于多种电子电路设计。
该齐纳二极管的SOD-123封装使其适合表面贴装工艺,有助于节省PCB空间并提高生产效率。
其最大功耗为300mW,能够在中等功率条件下稳定工作。
齐纳电压容差为±2%或±5%,确保电压精度,适合对电压稳定性要求较高的场合。
具备良好的温度稳定性,能够在宽温度范围内维持稳定的输出电压。
在制造过程中,该器件符合RoHS环保标准,无铅环保,适合绿色电子产品的设计需求。
该器件的快速响应特性使其适用于需要快速电压调节的电路中。
BZT52H-C18,115 广泛应用于各种电子设备和系统中。
常见的应用包括电压参考源、电源稳压电路、电池充电器、过压保护电路等。
由于其稳定性和低功耗特性,该器件常用于模拟电路、传感器电路、微控制器系统中的参考电压源。
在通信设备、工业控制系统和消费类电子产品中,该齐纳二极管也常用于电压调节和保护电路。
此外,它还可用于电源管理模块中的基准电压生成,为ADC或DAC等模拟器件提供稳定电压源。
BZT52C18-7-F(Diodes Inc)
ZMM18(ON Semiconductor)
MMBZ52C18BLT1G(ON Semiconductor)
Z-Diode BZT52H-C18(Nexperia)其他版本