时间：2025/6/11 18:29:00
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FV32N103J102EGG 是一款由富士电机（Fuji Electric）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用 TO-263 封装形式，具有较低的导通电阻和较高的开关速度，适用于各种高效率电源转换应用。它主要针对工业设备、消费电子以及通信设备中的开关电源、逆变器和电机驱动等应用场景设计。
该 MOSFET 的最大额定电压为 32V，能够提供高达 103A 的连续漏极电流（在特定条件下），并且具备出色的热性能和电气稳定性。
最大漏源电压：32V
最大连续漏极电流：103A
导通电阻（典型值）：1.5mΩ
栅极阈值电压：2V 至 4V
最大功耗：275W
工作结温范围：-55℃ 至 +175℃
封装形式：TO-263
FV32N103J102EGG 提供了低导通电阻以减少传导损耗，从而提高整体系统效率。其快速开关能力使得它非常适合高频应用环境。此外，器件内置了静电放电保护电路（ESD Protection），增强了产品在实际使用中的可靠性。
由于采用了先进的制造工艺，这款 MOSFET 在高温条件下依然可以保持稳定的性能表现。同时，它的短路耐受时间较长，进一步提高了系统的安全性。对于需要高效能和高可靠性的电力电子应用来说，这是一个理想的选择。
FV32N103J102EGG 广泛应用于直流-直流转换器、不间断电源（UPS）、太阳能逆变器以及电动工具等领域。在电机控制方面，它可以作为高效的开关元件来实现精确的速度调节。
此外，该器件也常用于计算机及服务器的电源管理模块中，确保稳定而高效的电力供应。其紧凑的封装尺寸使其特别适合空间受限的设计项目。
FV32N103J102EFG, FV32N103J102EGA
