时间：2025/5/24 10:47:50
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FV32N102J202EFG是一款由Fairchild（现为ON Semiconductor）生产的N沟道增强型MOSFET。该器件采用TO-252封装形式，广泛应用于电源管理、电机驱动以及各种开关电路中。其低导通电阻和出色的开关性能使其非常适合高效能的应用场景。
该型号中的关键参数包括耐压值、导通电阻以及漏极电流等。此外，它具有较低的栅极电荷，有助于减少开关损耗并提升系统效率。
最大漏源电压：100V
连续漏极电流：2.8A
导通电阻（Rds(on)）：0.65Ω
栅极电荷：7nC
总电容：440pF
功耗：1.3W
工作温度范围：-55℃至175℃
FV32N102J202EFG具备以下显著特性：
1. 高效节能：由于其低导通电阻设计，能够显著降低传导损耗。
2. 快速开关能力：低栅极电荷使得器件在高频应用中有更优表现。
3. 耐热性能强：支持高达175℃的工作温度范围，适用于恶劣环境下的应用。
4. 小型化封装：TO-252封装节省了PCB空间，同时保持良好的散热性能。
5. 可靠性高：经过严格测试以确保长期稳定运行，特别适合工业级和汽车级应用。
此款MOSFET适用于多种领域：
1. 开关电源（SMPS）：作为主开关管或同步整流器使用。
2. 电机控制：用于无刷直流电机驱动器和步进电机控制器中。
3. 电池保护电路：实现过流保护和负载切换功能。
4. 汽车电子：例如电动窗、座椅调节器及雨刮器控制系统。
5. 工业自动化设备：如PLC模块和传感器接口电路中的开关元件。
FDS8946,
FQP27P06,
IRLML6344
