FV32N102J202EFG是一款由Fairchild(现为ON Semiconductor)生产的N沟道增强型MOSFET。该器件采用TO-252封装形式,广泛应用于电源管理、电机驱动以及各种开关电路中。其低导通电阻和出色的开关性能使其非常适合高效能的应用场景。
该型号中的关键参数包括耐压值、导通电阻以及漏极电流等。此外,它具有较低的栅极电荷,有助于减少开关损耗并提升系统效率。
最大漏源电压:100V
连续漏极电流:2.8A
导通电阻(Rds(on)):0.65Ω
栅极电荷:7nC
总电容:440pF
功耗:1.3W
工作温度范围:-55℃至175℃
FV32N102J202EFG具备以下显著特性:
1. 高效节能:由于其低导通电阻设计,能够显著降低传导损耗。
2. 快速开关能力:低栅极电荷使得器件在高频应用中有更优表现。
3. 耐热性能强:支持高达175℃的工作温度范围,适用于恶劣环境下的应用。
4. 小型化封装:TO-252封装节省了PCB空间,同时保持良好的散热性能。
5. 可靠性高:经过严格测试以确保长期稳定运行,特别适合工业级和汽车级应用。
此款MOSFET适用于多种领域:
1. 开关电源(SMPS):作为主开关管或同步整流器使用。
2. 电机控制:用于无刷直流电机驱动器和步进电机控制器中。
3. 电池保护电路:实现过流保护和负载切换功能。
4. 汽车电子:例如电动窗、座椅调节器及雨刮器控制系统。
5. 工业自动化设备:如PLC模块和传感器接口电路中的开关元件。
FDS8946,
FQP27P06,
IRLML6344