时间：2025/5/20 21:26:06
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FV31X681K102ECG是一款高性能的场效应晶体管（FET），专为需要高效率和低功耗的应用设计。该器件采用先进的制造工艺，能够提供卓越的开关性能和较低的导通电阻，适用于各种电源管理场景。
其主要特点是能够在高频工作条件下保持稳定的性能，并且具有出色的热稳定性和抗静电能力。此外，该型号的设计注重提高系统的整体效率，同时降低能量损耗。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压(Vds)：60V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
最大连续漏极电流(Id)：10A
导通电阻(Rds(on))：1.7mΩ
栅极电荷(Qg)：45nC
总电容(Ciss)：1850pF
工作温度范围：-55°C至+175°C
封装形式：TO-247
FV31X681K102ECG具有超低的导通电阻，能够有效减少功率损耗，特别是在大电流应用中表现尤为突出。
其快速开关速度和优化的栅极电荷设计使其非常适合高频开关电源、电机驱动和DC-DC转换器等场景。
另外，该器件具备良好的热特性和鲁棒性，可以承受严苛的工作环境并长期保持稳定性能。
在保护功能方面，这款MOSFET拥有较强的抗静电能力，从而提高了系统的可靠性。
该型号广泛应用于工业和消费电子领域，包括但不限于以下应用场景：
1. 开关电源（SMPS）中的主开关管或同步整流管。
2. 电机控制与驱动电路中的功率级元件。
3. DC-DC转换器及逆变器的核心功率器件。
4. 电池管理系统（BMS）中的负载开关或保护开关。
5. 高效功率因数校正（PFC）电路中的关键组件。
FV31X681K102EFG, FV31X681K102ECJ
