时间：2025/6/24 0:41:50
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FV31X223K102EEG 是一款高性能的功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于开关电源、电机驱动和逆变器等场景。它采用先进的制造工艺，能够提供低导通电阻和快速开关性能，从而提高系统效率并降低热损耗。
该器件属于 N 沟道增强型 MOSFET，支持高电流和高电压操作，非常适合需要高效能和高可靠性的应用环境。
最大漏源电压：650V
连续漏极电流：14A
导通电阻：180mΩ
栅极电荷：75nC
总电容：1500pF
工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
封装形式：TO-247
1. 高击穿电压设计确保了在高压条件下的稳定运行。
2. 极低的导通电阻减少了功率损耗，提升了整体效率。
3. 快速开关能力降低了开关损耗，并适合高频应用场景。
4. 优化的热性能使器件能够在高温环境下长期可靠工作。
5. 内置保护功能（如过流保护）增强了系统的安全性和稳定性。
6. 符合 RoHS 标准，环保且满足国际法规要求。
1. 开关电源（SMPS）中的主开关元件。
2. 电机驱动电路中的功率级控制。
3. 逆变器模块的核心功率转换组件。
4. 工业设备中的负载切换和调节。
5. 新能源领域中的光伏逆变器和储能系统。
6. 电动车及电池管理系统中的功率管理部分。
FV31X223K101EEG, IRFP460, STP65NF06
