时间：2025/8/2 8:36:55
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RFD14N05SM9A是一款由STMicroelectronics制造的N沟道功率MOSFET，专为高效率、高功率密度应用而设计。这款MOSFET采用先进的技术，具备低导通电阻、高开关速度和良好的热稳定性，适用于电源管理、DC-DC转换器、电机控制以及电池充电系统等多种应用场景。RFD14N05SM9A采用9引脚PowerFLAT封装，有助于提高散热性能并减小电路板空间占用。
类型：N沟道
漏极电流（ID）：14A
漏极-源极击穿电压（VDS）：50V
栅极-源极电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：典型值28mΩ（在VGS=10V时）
工作温度范围：-55°C至175°C
封装：PowerFLAT 9引脚
RFD14N05SM9A具备多项先进特性，首先其低导通电阻有助于降低功率损耗，提高系统效率。其次，该器件采用STMicroelectronics的先进制程技术，确保了在高频率开关操作下的稳定性能。此外，该MOSFET具有较高的热稳定性和抗过载能力，能够在严苛的工作环境下保持可靠运行。9引脚PowerFLAT封装设计不仅优化了散热性能，还提高了封装的机械强度，适用于高振动和高热循环的应用场景。RFD14N05SM9A还具备良好的栅极电荷（Qg）特性，有助于降低驱动损耗，提高开关速度。
该器件还具备卓越的雪崩能量承受能力，能够在异常工作条件下（如负载突变或短路）保护自身不受损坏。RFD14N05SM9A还支持并联使用，以满足更高电流需求的应用场景。其栅极驱动电压范围较宽，适用于多种栅极驱动器设计，便于系统集成。该MOSFET的封装符合RoHS环保标准，适合用于对环保要求较高的电子产品中。
RFD14N05SM9A广泛应用于多种高功率和高效率要求的电子系统中。其典型应用包括同步整流DC-DC转换器、多相电源转换器、服务器电源系统、电池管理系统、电机驱动和控制电路、UPS不间断电源、LED照明驱动电路以及汽车电子系统中的功率控制模块。由于其优异的导通特性和热管理能力，该器件特别适合用于高密度电源设计和对能效要求严格的绿色能源解决方案。
RFD14N05SM9AG RFD14N05SM9AY
