时间：2025/6/19 4:31:29
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FV31N560J102EMG 是一款由富士电机（Fuji Electric）生产的 N 沣道通 MOSFET。该器件采用先进的半导体制造工艺，具有低导通电阻、高开关速度和优异的热性能，广泛应用于高效能电源转换、电机驱动和工业控制等领域。
此型号属于 FV 系列，专为中高压应用场景设计，具备出色的可靠性和稳定性，可满足严苛工况下的需求。
类型：N 沝道 MOSFET
耐压：560 V
持续漏极电流：31 A
导通电阻：9.5 mΩ
栅极电荷：45 nC
开关速度：高速
封装形式：D2PAK (TO-263)
工作温度范围：-55 ℃ 至 +175 ℃
FV31N560J102EMG 具有以下显著特点：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），在额定条件下仅为 9.5 mΩ，从而大幅降低功率损耗。
2. 高耐压能力（560V），使其适用于各种高压场景，例如工业电源和逆变器。
3. 快速开关特性，优化了动态性能并减少开关损耗。
4. 小巧紧凑的 D2PAK 封装设计，提升了 PCB 布局灵活性，同时增强了散热性能。
5. 宽泛的工作温度范围（-55℃ 至 +175℃），适应极端环境应用需求。
6. 符合 RoHS 标准，绿色环保。
FV31N560J102EMG 的典型应用场景包括但不限于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中的主开关管或同步整流管。
2. 工业用逆变器及变频器的核心功率器件。
3. 电动汽车充电桩中的功率模块。
4. 太阳能光伏逆变器中的功率转换元件。
5. 各类电机驱动系统中的功率输出级组件。
6. 能量存储系统的 DC-DC 和 DC-AC 转换电路。
FV31N560J102AMG, FV25N560J102EMG, FV31N650J102EMG
