LZ2326BJ 时间：2025/8/28 0:01:01 阅读：18

LZ2326BJ是一种N沟道增强型功率MOSFET，常用于电源管理和开关应用。该器件具有低导通电阻、高耐压和高电流容量等优点，适用于DC-DC转换器、负载开关、电池管理系统等高效率电源设计。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压(Vds)：60V
　　栅源电压(Vgs)：±20V
　　连续漏极电流(Id)：160A（在25°C）
　　导通电阻(Rds(on))：最大值4.5mΩ（在Vgs=10V）
　　封装形式：TO-263（D2PAK）
　　工作温度范围：-55°C至175°C

特性

LZ2326BJ的主要特性包括极低的导通电阻，有助于减少导通损耗并提高系统效率。其高电流容量和良好的热性能，使其在高功率应用中表现出色。此外，该MOSFET具备优良的雪崩能量吸收能力，增强了器件在瞬态过压条件下的可靠性。
　　该器件的栅极氧化层设计具有高耐用性，能够承受较高的栅极电压波动，从而提高在复杂电磁环境中的稳定性。同时，LZ2326BJ在封装上采用TO-263表面贴装形式，便于在PCB上安装并实现良好的散热效果。
　　在动态性能方面，LZ2326BJ具有较低的输入电容和反向传输电容，有利于实现快速开关动作，减少开关损耗。其较短的开关时间也有助于提高电源转换器的开关频率，从而减小外围元件的尺寸。