时间：2025/6/5 18:54:58
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FV31N222J102EEG 是一款 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），适用于各种功率转换和开关应用。该器件采用 TO-263 封装，具有低导通电阻和快速开关速度的特点，能够在高效率的应用场景中提供出色的性能。
该型号属于富士电机（Fuji Electric）的 MOSFET 系列产品，广泛用于电源管理、电机驱动、工业控制以及消费电子设备等领域。
最大漏源电压：200V
连续漏极电流：31A
导通电阻：4.5mΩ
栅极电荷：85nC
总电容：1250pF
工作温度范围：-55℃ to +150℃
FV31N222J102EEG 具有以下主要特性：
1. 高耐压能力，额定电压为 200V，适合高压环境下的应用。
2. 极低的导通电阻（4.5mΩ），可显著降低功率损耗，提升系统效率。
3. 快速开关特性，栅极电荷小（85nC），能够支持高频开关应用。
4. 良好的热稳定性，可在 -55℃ 至 +150℃ 的宽温范围内可靠运行。
5. 采用 TO-263 封装，具备优异的散热性能和电气连接可靠性。
6. 符合 RoHS 标准，环保无铅设计，适合现代绿色电子产品的需求。
FV31N222J102EEG 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中的功率转换和开关功能。
2. 工业电机驱动器中的功率级控制。
3. 太阳能逆变器中的 DC-DC 和 DC-AC 转换。
4. 电动汽车充电器和电池管理系统（BMS）。
5. 各种工业自动化设备和家电产品的功率控制模块。
6. LED 驱动电路和其他需要高效功率处理的应用场景。
FV31N222J102EGG, FV31N222J102DEG
