时间：2025/5/24 20:01:09
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FV31N221J102EEG 是一款由富士电机（Fuji Electric）生产的功率 MOSFET 芯片，采用 TO-247 封装形式。该器件主要应用于开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动等高效率功率转换场景。它具有低导通电阻、高开关速度和良好的热性能等特点，适合在工业控制、新能源等领域中使用。
这款芯片的核心优势在于其优化的沟槽式结构设计，能够在高频工作条件下提供高效的功率转换能力。
型号：FV31N221J102EEG
封装：TO-247
最大漏源电压 VDS：1200V
最大栅源电压 VGS：±20V
连续漏极电流 ID：31A
脉冲漏极电流 IDM：186A
导通电阻 RDS(on)：0.15Ω
栅极电荷 Qg：97nC
反向恢复时间 trr：65ns
工作温度范围 Tj：-55℃ 至 +175℃
FV31N221J102EEG 的主要特性包括：
1. 高耐压能力：额定漏源电压高达 1200V，适用于高压应用环境。
2. 低导通电阻：RDS(on)仅为 0.15Ω，在大电流工作时可降低功耗。
3. 快速开关性能：极低的反向恢复时间和较小的栅极电荷使得器件能够以较高的频率运行。
4. 稳定性强：经过严格的工艺控制和可靠性测试，确保在恶劣环境下长期稳定工作。
5. 大电流承载能力：连续漏极电流为 31A，满足高功率需求的应用场景。
6. 宽温范围支持：工作结温范围从 -55℃ 到 +175℃，适应各种极端温度条件。
FV31N221J102EEG 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）：用于高效能量转换和稳定的电压输出。
2. DC-DC 转换器：实现不同电压等级之间的快速转换。
3. 工业逆变器：作为核心功率器件，用于电机驱动和能源管理。
4. 新能源系统：例如太阳能逆变器、风能发电设备等，提供高可靠性的功率处理能力。
5. 不间断电源（UPS）：保障关键设备的持续供电。
6. 电动汽车（EV）相关设备：如车载充电器、充电桩等。
FV31N120E4, IRGB14D120CPBF, FDP16N120B
