型号: IXGA15N120C
　　最大集电极-发射极电压(Vce): 1200V
　　最大集电极电流(Ic): 15A
　　工作温度范围: -55°C ~ +150°C
　　封装类型: TO-247
　　导通压降(Vce_sat): 典型值为 2.1V @ Ic=15A, Vge=15V
　　短路耐受能力: 有
　　栅极电荷(Qg): 约 55nC @ Vge=15V
　　输入电容(Cies): 约 1900pF @ Vce=25V
　　开关损耗(Eon/Eoff): 典型值分别为 3.2mJ / 2.8mJ @ Ic=15A, Vce=600V, Vge=15V

IXGA15N120C 的主要特性包括其高耐压能力，能够在高达 1200V 的集电极-发射极电压下工作，适合高压系统应用。该 IGBT 的导通压降较低，典型值为 2.1V，有助于减少导通损耗，提高整体效率。
　　此外，IXGA15N120C 提供了出色的开关性能，具有较低的开通和关断能量损耗，分别为 3.2mJ 和 2.8mJ，这有助于减少开关损耗并提高系统的动态响应。该器件还具有较高的短路耐受能力，能够在短时间内承受较大的电流冲击而不损坏。
　　为了确保长期稳定性和可靠性，IXGA15N120C 采用了坚固的 TO-247 封装，具有良好的散热性能和机械稳定性，适合在高温环境下运行。其栅极电荷较低（约 55nC），有助于减少驱动电路的负担，提高整体系统的效率。
　　该 IGBT 还具有良好的热稳定性，能够在 -55°C 至 +150°C 的宽温度范围内工作，适用于各种恶劣的环境条件。输入电容约为 1900pF，这在高频应用中尤为重要，因为它影响着开关速度和驱动电路的设计。

IXGA15N120C 广泛应用于高功率和高压系统中，如工业电源、电机驱动、变频器、UPS（不间断电源）、太阳能逆变器和焊接设备等。在这些应用中，该 IGBT 可以提供高效的功率转换和稳定的性能。
　　由于其优异的短路耐受能力和高可靠性，IXGA15N120C 常用于需要高稳定性和安全性的工业控制系统。它也适用于需要频繁开关操作的场合，如电动车辆的充电系统和储能系统。
　　在电力电子系统中，IXGA15N120C 可以与其他功率器件（如 MOSFET 和二极管）结合使用，构建复杂的功率转换拓扑结构，如全桥、半桥和降压/升压变换器等。这些拓扑结构广泛应用于电力调节和能量管理领域。
　　此外，该 IGBT 也适用于感应加热系统，如电磁炉和工业加热设备，能够提供稳定的高频功率输出，提高加热效率和控制精度。

IXGA15N120AF, IXGH15N120C, IXGA15N120CF