时间：2025/5/23 7:22:36
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FV31N101J202EEG是一款由Fairchild（现为On Semiconductor）生产的N沟道MOSFET功率晶体管。该器件具有低导通电阻和高开关速度，适用于多种功率转换和电机驱动应用。
该MOSFET采用TO-252-3小型表面贴装封装形式，具备良好的散热性能和紧凑的设计特点。这种封装方式使其非常适合空间受限的电路设计。
最大漏源电压(VDS)：60V
最大栅源电压(VGS)：±20V
连续漏极电流(ID)：9.2A
导通电阻(RDS(on))：35mΩ
功耗(PD)：28W
结温范围(TJ)：-55°C 至 150°C
总电荷(Qg)：4nC
输入电容(Ciss)：730pF
输出电容(Coss)：85pF
该MOSFET具有较低的导通电阻，有助于减少传导损耗并提高效率。
FV31N101J202EEG支持高频操作，这主要得益于其快速的开关速度和较小的栅极电荷。
其具备较高的雪崩击穿能力，能够增强在异常条件下的耐用性。
采用的TO-252-3封装形式提供优越的热性能，同时保持了小尺寸和轻量化设计。
MOSFET还具有出色的静电放电(ESD)保护功能以确保可靠性。
FV31N101J202EEG广泛应用于消费类电子产品、工业设备和汽车电子领域。
具体应用场景包括DC-DC转换器、开关电源(SMPS)、电机控制和驱动、负载开关、电池保护电路等。
由于其低导通电阻和高频率特性，它也非常适合用于高效能要求的笔记本电脑适配器、LED照明系统以及家用电器中的功率管理部分。
FQP17P06,
IRFZ44N,
STP9NK60Z,
AO3400
