FV31N100J102PXG 是一款由 Fuji Electric(富士电机)生产的高压功率 MOSFET,广泛应用于开关电源、逆变器和电机驱动等工业领域。该器件采用 N 沟道技术,具备高耐压和低导通电阻的特性,能够满足高效能电力转换的需求。
该型号属于 Super Junction MOSFET 系列,具有卓越的动态性能和可靠性,适用于高频开关应用。
最大漏源电压:1000V
连续漏极电流:31A
导通电阻(典型值):150mΩ
栅极电荷:100nC
输入电容:2200pF
工作结温范围:-55℃ 至 +175℃
FV31N100J102PXG 采用了先进的超结(Super Junction)技术,使其能够在高电压条件下保持较低的导通电阻,从而减少功率损耗并提高系统效率。
该器件还具备以下特点:
1. 高雪崩能量能力,增强在异常条件下的鲁棒性。
2. 快速开关速度,降低开关损耗。
3. 小型封装设计,节省 PCB 空间。
4. 符合 RoHS 标准,环保且安全可靠。
此外,其出色的热特性和电气性能使其非常适合需要长时间稳定运行的应用场景。
FV31N100J用于各种高电压、大功率场景中,包括但不限于以下应用:
1. 开关电源(SMPS),如工业级 AC-DC 转换器。
2. 太阳能逆变器中的功率转换模块。
3. 电动汽车(EV)和混合动力汽车(HEV)的牵引逆变器。
4. 工业设备中的电机驱动电路。
5. 高频 DC-DC 变换器。
由于其优异的动态性能和可靠性,该器件特别适合对效率和稳定性要求较高的场合。
FV31N100K102PXG, IRFP460, STW98N100K5