时间：2025/6/4 19:55:06
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FV21N120J102ECG 是一款由 Fairchild（现为 ON Semiconductor）生产的 N 沣道高压功率 MOSFET。该器件采用 TO-247 封装，广泛应用于开关电源、电机驱动、逆变器和 DC-DC 转换器等高电压应用中。其设计特点包括低导通电阻、高雪崩能力和快速开关性能，使其成为高效能功率转换的理想选择。
这款 MOSFET 的额定耐压为 1200V，能够承受较高的漏源电压，并且具备良好的热稳定性和可靠性。
最大漏源电压：1200V
连续漏极电流：15A
导通电阻：1.8Ω
栅极电荷：65nC
总电容：35pF
功耗：350W
工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
封装形式：TO-247
FV21N120J102ECG 具有以下显著特性：
1. 高耐压能力：额定电压为 1200V，适用于高电压环境下的功率转换。
2. 低导通电阻：仅为 1.8Ω，在大电流应用中可有效减少功率损耗。
3. 快速开关性能：具有较低的栅极电荷和输出电容，从而降低开关损耗。
4. 高雪崩能量能力：增强了器件在异常情况下的鲁棒性。
5. 热稳定性好：能够在高温环境下保持稳定的性能。
6. 宽工作温度范围：支持从 -55℃ 到 +150℃ 的温度区间，适应各种恶劣工况。
FV21N120J102ECG 广泛用于以下领域：
1. 开关电源 (SMPS)：作为主开关管或同步整流管。
2. 电机驱动：用于控制直流无刷电机或其他类型的电机。
3. 逆变器：在光伏逆变器和 UPS 中充当功率开关。
5. 工业设备：如焊接机、感应加热器等需要高电压功率管理的场合。
FV21N120K, FZ18N120B
