FV21N120J102ECG 是一款由 Fairchild(现为 ON Semiconductor)生产的 N 沣道高压功率 MOSFET。该器件采用 TO-247 封装,广泛应用于开关电源、电机驱动、逆变器和 DC-DC 转换器等高电压应用中。其设计特点包括低导通电阻、高雪崩能力和快速开关性能,使其成为高效能功率转换的理想选择。
这款 MOSFET 的额定耐压为 1200V,能够承受较高的漏源电压,并且具备良好的热稳定性和可靠性。
最大漏源电压:1200V
连续漏极电流:15A
导通电阻:1.8Ω
栅极电荷:65nC
总电容:35pF
功耗:350W
工作温度范围:-55℃ 至 +150℃
封装形式:TO-247
FV21N120J102ECG 具有以下显著特性:
1. 高耐压能力:额定电压为 1200V,适用于高电压环境下的功率转换。
2. 低导通电阻:仅为 1.8Ω,在大电流应用中可有效减少功率损耗。
3. 快速开关性能:具有较低的栅极电荷和输出电容,从而降低开关损耗。
4. 高雪崩能量能力:增强了器件在异常情况下的鲁棒性。
5. 热稳定性好:能够在高温环境下保持稳定的性能。
6. 宽工作温度范围:支持从 -55℃ 到 +150℃ 的温度区间,适应各种恶劣工况。
FV21N120J102ECG 广泛用于以下领域:
1. 开关电源 (SMPS):作为主开关管或同步整流管。
2. 电机驱动:用于控制直流无刷电机或其他类型的电机。
3. 逆变器:在光伏逆变器和 UPS 中充当功率开关。
5. 工业设备:如焊接机、感应加热器等需要高电压功率管理的场合。
FV21N120K, FZ18N120B