类型：NPN双极型晶体管
　　最大集电极-发射极电压（VCEO）：30V
　　最大集电极电流（IC）：100mA
　　最大功耗（PD）：300mW
　　电流增益（hFE）：200-800（根据工作条件）
　　过渡频率（fT）：100MHz
　　工作温度范围：-55°C至+150°C

2K1835的主要特性之一是其优异的高频性能，这使其成为射频放大器和中频放大器的理想选择。该晶体管的过渡频率（fT）高达100MHz，能够在较高的频率下保持良好的增益稳定性。此外，2K1835的噪声系数较低，有助于在信号放大过程中保持信号的清晰度，减少噪声干扰。
　　该晶体管的封装形式通常为TO-92或类似的塑料封装，具有良好的散热性能和机械稳定性。其电流增益（hFE）范围较宽，从200到800不等，具体数值取决于工作电流和电压条件。这种灵活性使得2K1835能够适应多种电路设计需求。
　　2K1835的集电极-发射极电压（VCEO）为30V，最大集电极电流为100mA，适合中等功率的信号放大应用。此外，其最大功耗为300mW，能够在不使用额外散热片的情况下工作于正常温度范围内。这种特性使得该晶体管在小型电子设备中尤为适用。
　　在可靠性方面，2K1835具有较宽的工作温度范围，从-55°C到+150°C，能够适应各种环境条件，包括工业级和军用级应用。这使得它在恶劣环境中也能保持稳定的性能。

2K1835广泛应用于射频（RF）和中频（IF）放大器电路中，尤其适用于通信设备中的信号放大。它常用于无线接收器、对讲机、射频测试仪器和音频前置放大器等设备。此外，该晶体管还可用于振荡器、混频器和调制电路中，提供稳定的信号处理能力。
　　在音频放大应用中，2K1835可以作为前置放大器级使用，提供低噪声和高增益的信号放大效果。它也适用于需要较高频率响应的模拟电路设计，例如音频均衡器和滤波器电路。
　　由于其高频性能和可靠性，2K1835在工业控制电路、传感器接口电路和嵌入式系统中也有一定的应用。例如，在传感器信号调理电路中，该晶体管可用于放大微弱信号，提高测量精度。

BC547, 2N3904, BC109, BF199