时间：2025/6/19 4:29:19
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FV21N101J102ECG 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET，由知名半导体公司生产。该器件采用了先进的制造工艺，能够提供出色的开关性能和较低的导通电阻。其主要应用于高效率电源转换、电机驱动以及负载切换等场景。该 MOSFET 的封装形式为 TO-252（DPAK），具有较高的电流承载能力和散热性能。
此器件的设计旨在满足消费电子、工业控制和汽车电子等领域对高效能和可靠性的需求。
最大漏源电压：100V
连续漏极电流：21A
导通电阻：4.3mΩ（典型值，在 VGS=10V 时）
栅极电荷：8nC（典型值）
开关时间：ton=16ns，toff=39ns（典型值）
工作结温范围：-55℃ 至 +175℃
封装类型：TO-252（DPAK）
1. 超低导通电阻：在额定条件下具备非常低的 Rds(on)，有助于降低功耗并提高系统效率。
2. 高电流能力：支持高达 21A 的连续漏极电流，适用于大功率应用。
3. 快速开关性能：具备短开关时间和低栅极电荷，适合高频操作。
4. 增强的热性能：采用 TO-252 封装设计，确保良好的散热效果。
5. 宽工作温度范围：能够在极端环境条件下稳定运行，适合各种应用场景。
6. ESD 保护功能：内置静电防护机制以提升可靠性。
1. 开关电源（SMPS）中的同步整流器和功率因数校正（PFC）电路。
2. 直流无刷电机（BLDC）和步进电机的驱动电路。
3. 汽车电子系统中的负载切换和继电器替代。
4. 工业自动化设备中的电磁阀控制和电源管理。
5. 电池管理系统（BMS）中的充放电保护和均衡控制。
6. 各类便携式电子产品中的高效电源转换解决方案。
FV21N100C, IRFZ44N, STP21NF10L
