时间：2025/7/10 15:38:39
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WPE0791VD3是一款基于硅工艺设计的高效能功率MOSFET器件，主要应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动等场景。该芯片采用N沟道增强型结构，具备低导通电阻和高电流处理能力，能够显著提升系统的效率与稳定性。
其封装形式为TO-220，便于散热管理，同时具有良好的电气性能和可靠性，适合工业及消费类电子应用。
型号：WPE0791VD3
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压(Vds)：700V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：9.1A
脉冲漏极电流(Ip)：52A
导通电阻(Rds(on))：7.9Ω（在Vgs=10V时）
总功耗(Ptot)：160W
工作温度范围(Topr)：-55℃至+150℃
封装形式：TO-220
WPE0791VD3的核心优势在于其高耐压能力和较低的导通电阻，使其能够在高频开关应用中减少功率损耗并提高系统效率。
该芯片还具有快速开关速度和稳定的电气性能，在面对负载变化时表现出色。
此外，其采用的TO-220封装提供了良好的热传导性能，有助于维持长时间运行下的稳定性和可靠性。
此功率MOSFET适用于多种高电压环境，如开关电源适配器、工业控制设备以及家用电器中的电机驱动电路。
WPE0791VD3广泛应用于以下领域：
1. 开关电源(SMPS)的设计，包括AC-DC和DC-DC转换器。
2. 各种类型的电机驱动电路，例如步进电机、直流无刷电机等。
3. 工业自动化设备中的电源管理和信号切换。
4. 消费电子产品中的过流保护和负载切换功能。
5. 光伏逆变器及其他新能源相关产品中的功率控制模块。
IRF840,
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