时间：2025/8/14 0:49:11
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FUJ6TP 是富士电机（Fuji Electric）生产的一款N沟道功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），常用于高功率应用，如电源转换、马达控制和逆变器电路中。该器件采用了先进的沟槽栅极技术，提供较低的导通电阻（Rds(on)），从而降低了导通损耗，提高了效率。FUJ6TP的封装形式通常为TO-220，具有良好的散热性能，适用于多种工业和汽车电子应用。
类型：N沟道
漏源电压（Vds）：600V
栅源电压（Vgs）：±30V
连续漏极电流（Id）：6A
导通电阻（Rds(on)）：最大1.9Ω（在Vgs=10V时）
功率耗散（Pd）：80W
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装类型：TO-220
FUJ6TP MOSFET 具有出色的导通性能和快速开关能力，适用于高频开关应用。其低导通电阻（Rds(on)）确保了在大电流条件下也能保持较低的功率损耗，从而提高系统效率。此外，该器件具备较高的热稳定性，能够承受较大的工作电流和较高的环境温度，使其在高温环境下仍能稳定运行。
FUJ6TP 还具有良好的抗雪崩能力和过载耐受性，能够在瞬态过载条件下保持稳定工作，适用于要求高可靠性的工业和汽车电子系统。此外，其TO-220封装形式提供了良好的散热性能，便于安装在散热片上以增强散热效果。
该MOSFET的栅极驱动电压范围较宽（±30V），兼容多种驱动电路设计，适用于PWM控制、DC-DC转换器、电机驱动和电源管理系统等应用。
FUJ6TP 主要用于需要高耐压和中等电流能力的功率电子系统，包括开关电源（SMPS）、DC-AC逆变器、电机控制电路、电池管理系统（BMS）以及工业自动化设备中的功率开关。此外，它也适用于LED照明驱动、家电电机控制和电动车电源系统等应用场景。
建议替代型号：IRF840、FQA6N60、STP6NK60Z、TK11A60D
