型号：MD27256/B
　　制造商：Microchip Technology
　　存储类型：EPROM
　　存储容量：256 Kbit (32K x 8)
　　供电电压：+5V ±10%
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　封装类型：DIP28
　　访问时间：典型值250ns
　　编程电压：Vpp = +12.5V 或 +21V（依版本而定）
　　封装形式：带透明窗口的陶瓷DIP
　　擦除方式：紫外线擦除（约需15-20分钟暴露于UV灯下）
　　输出驱动能力：可直接驱动TTL负载
　　待机电流：典型值100μA
　　工作电流：典型值30mA

MD27256/B作为一款经典的并行EPROM器件，具备出色的电气性能和环境适应性。其核心特性之一是高可靠性数据存储能力，能够在断电情况下长期保存程序代码或关键数据，数据保持时间通常可达40年以上，适用于需要长期稳定运行的工业控制系统。该芯片采用CMOS工艺制造，在保证高速读取的同时有效降低了功耗，尤其在待机模式下电流极低，有助于提升整个系统的能效表现。其快速访问时间为250ns，使得CPU能够高效地从存储器中读取指令，满足实时性要求较高的应用需求。
　　另一个显著特点是其物理可擦除性，通过封装顶部的石英窗口，用户可以使用紫外线照射来清除芯片内所有数据，从而实现重复编程。这一功能使其成为研发阶段的理想选择，工程师可以在调试过程中反复修改固件内容。同时，该器件支持标准的编程电压（如+12.5V或+21V），兼容市面上大多数通用EPROM编程器，极大地方便了生产与维护流程。此外，MD27256/B具有良好的抗电磁干扰能力和宽温工作范围（-40°C至+85°C），可在极端温度条件下稳定工作，适用于工业自动化、军事设备及户外通信装置等严苛环境。
　　该芯片还具备强健的输出驱动能力，可以直接驱动多个TTL逻辑门电路，无需额外的缓冲器或驱动芯片，简化了外围电路设计。其DIP28封装形式不仅便于手工焊接与更换，也利于在原型开发和小批量生产中灵活使用。尽管随着闪存技术的发展，新型系统更多采用串行Flash或EEPROM，但MD27256/B因其稳定性、兼容性和可维护性，仍在许多 legacy 系统中发挥着不可替代的作用，特别是在设备维修、备件替换和技术教学领域仍具实用价值。

MD27256/B广泛应用于需要非易失性程序存储的各种电子系统中。典型用途包括工业控制设备中的固件存储，例如PLC（可编程逻辑控制器）、数控机床和自动化仪表；在通信设备中用于存放启动引导程序（bootloader）或配置信息；在老旧计算机系统和嵌入式控制器中作为BIOS或监控程序的载体；同时也常见于测试仪器、医疗设备和航空航天电子模块中，承担关键代码的存储任务。此外，由于其可重复擦写特性，该芯片常被用于研发实验室的原型验证、教学实验平台以及电子爱好者项目中，便于进行程序调试与迭代开发。

27C256
　　AT27C256
　　MBM27C256