时间：2025/8/25 2:25:16
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FU5N40是一款N沟道增强型功率场效应晶体管（MOSFET），常用于电源管理和功率开关应用。该器件采用了先进的沟槽栅技术和优化设计，具有较低的导通电阻和高效率。FU5N40适用于各类需要高效能和高可靠性的电子系统，如电源适配器、DC-DC转换器和电机驱动电路。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压(Vds)：400V
栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：5A
导通电阻(Rds(on))：≤2.0Ω
工作温度范围：-55°C至+150°C
封装形式：TO-220、TO-252（DPAK）
FU5N40具有低导通电阻（Rds(on)），这有助于降低导通损耗，提高系统效率。其高耐压特性使其适用于400V及以下的高压电路中。
该MOSFET采用了先进的沟槽栅技术，优化了载流子的分布，提高了器件的开关速度和稳定性。
此外，FU5N40具备良好的热稳定性和高可靠性，能够在较宽的温度范围内稳定工作，适合工业级应用。
在封装方面，常见的TO-220或TO-252（DPAK）封装形式便于散热和安装，适用于多种电路设计场景。
FU5N40广泛应用于电源管理领域，如AC-DC电源适配器、DC-DC转换器和LED驱动电源。
在电机控制和驱动电路中，该器件可用于高效能的开关控制，提供稳定的电流输出。
同时，它也适用于消费类电子产品、工业自动化设备以及智能家电等需要高压功率开关的场合。
IRF740、2N6796、FQP5N40、STP5NK40Z
