FU120N 时间：2025/6/6 8:48:14 阅读：31

FU120N是一种基于硅材料制造的高压MOSFET（金属-氧化物-半导体场效应晶体管），主要应用于开关电源、电机驱动、逆变器以及其他需要高电压、快速开关特性的场景。该器件属于N沟道增强型MOSFET，其设计优化了导通电阻和开关性能之间的平衡，使其在高频应用中表现优异。

参数

最大漏源电压：1200V
　　最大连续漏电流：1.8A
　　最大栅源电压：±20V
　　导通电阻（典型值）：2.4Ω
　　总功耗：15W
　　结温范围：-55℃至+150℃

特性

FU120N具有较高的耐压能力，适合在高电压环境下工作。它的低导通电阻可以有效减少传导损耗，提高效率。此外，它还具备快速开关速度，能够适应高频应用场景。该器件采用了DPAK封装形式，提供良好的散热性能，并且易于集成到各种电路设计中。
　　具体特性包括：
　　1. 高击穿电压，确保在极端条件下的可靠性。
　　2. 低导通电阻，降低功率损耗。
　　3. 快速开关能力，支持高频工作。
　　4. 稳定的热性能，适用于长时间运行的设备。
　　5. 小型化封装，节省电路板空间。

应用

FU120N广泛用于各类电力电子设备中，例如开关电源（SMPS）、光伏逆变器、不间断电源（UPS）、工业电机驱动以及电动汽车中的辅助系统等。它特别适合需要高电压输入或输出的场合，如DC-DC转换器、AC-DC适配器以及电池管理系统（BMS）。此外，由于其出色的开关性能，FU120N也常被用作负载开关或保护电路中的关键元件。