PZU18B3,115 时间：2025/9/14 1:50:09 阅读：3

PZU18B3,115 是一款由 NXP Semiconductors（恩智浦半导体）制造的齐纳二极管（Zener Diode），主要用于电压调节和电路保护应用。该器件采用SOD323封装，适合在需要低功率电压调节的电路中使用。其标称齐纳电压为18V，容差为±5%，适用于多种通用电子设备。

参数

类型：齐纳二极管
　　封装类型：SOD323
　　标称齐纳电压：18V
　　容差：±5%
　　最大耗散功率：300 mW
　　最大齐纳电流：10 mA
　　工作温度范围：-65°C ~ 150°C
　　存储温度范围：-65°C ~ 150°C

特性

PZU18B3,115 是一款高性能的齐纳二极管，具有良好的电压稳定性和较低的温度系数，能够在多种环境条件下提供稳定的电压参考。其SOD323封装形式使其非常适合用于空间受限的印刷电路板（PCB）设计中。该器件的最大耗散功率为300 mW，支持最大齐纳电流为10 mA，这使得它适用于低功耗的电压调节场合。此外，PZU18B3,115 的工作温度范围广泛，从-65°C 到150°C，能够适应各种工业和消费类电子设备的工作环境。该器件还具有较高的可靠性和较长的使用寿命，适用于需要长期稳定工作的电子系统。

应用

PZU18B3,115 齐纳二极管广泛应用于需要电压参考或电压调节的电路中。例如，它可以用于电源管理电路中的过压保护，确保电路在输入电压异常时能够安全运行。此外，它也常用于模拟电路中的参考电压源，为运算放大器、ADC/DAC等元件提供稳定的基准电压。在消费电子产品中，如智能手机、平板电脑和智能手表中，该器件可用于保护敏感电路免受电压波动的影响。工业自动化设备和测试仪器中也常常使用该器件来确保电路的稳定性和可靠性。