时间：2025/7/12 19:49:16
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FTU36N06N是一款N沟道增强型功率MOSFET，采用TO-252封装。该器件具有低导通电阻和高开关速度的特点，适用于多种高效能功率转换应用。其耐压能力达到60V，能够承受较高的瞬态电压，同时具备良好的热性能和电流承载能力。
FTU36N06N主要应用于消费类电子、工业控制以及通信设备中，特别是在需要高效能、低损耗的场景下表现出色。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：19A
导通电阻（Rds(on)）：3.6mΩ
栅极电荷：17nC
总电容：1480pF
工作结温范围：-55℃ to 150℃
1. 超低导通电阻，可有效降低功率损耗。
2. 高速开关特性，适合高频开关电源设计。
3. 较小的封装尺寸，便于PCB布局优化。
4. 提供优异的雪崩能力和抗静电性能。
5. 符合RoHS标准，环保无铅设计。
1. 开关模式电源(SMPS)中的功率开关。
2. 直流电机驱动和负载切换。
3. 电池保护电路和充电管理。
4. LED驱动器和固态照明系统。
5. 电信设备中的DC-DC转换模块。
IRFZ44N
FDP5570
STP19NF06L
