型号：FTU09N20C
　　类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：200 V
　　栅源电压（VGS）：±30 V
　　连续漏极电流（ID）：9 A
　　脉冲漏极电流（IDM）：36 A
　　导通电阻RDS(on)：典型值 0.18 Ω，最大值 0.22 Ω @ VGS = 10 V
　　阈值电压（Vth）：2.0 ~ 4.0 V
　　栅极电荷（Qg）：32 nC @ VDS = 160 V, ID = 4.5 A
　　输入电容（Ciss）：780 pF @ VDS = 25 V
　　输出电容（Coss）：220 pF @ VDS = 25 V
　　反向恢复时间（trr）：45 ns
　　工作结温范围（Tj）：-55 ~ +150 ℃
　　封装形式：TO-220 / TO-252

FTU09N20C采用了先进的沟槽栅极技术，这种结构通过在硅片表面刻蚀出深沟槽并填充多晶硅栅极材料，有效增加了单位面积内的沟道密度，从而显著提升了器件的电流承载能力和导电性能。该工艺不仅降低了RDS(on)，还优化了电荷分布，减少了开关过程中的寄生效应，使得器件在高频工作条件下仍能保持较低的开关损耗。其典型的0.22Ω RDS(on)在200V耐压等级的MOSFET中处于较优水平，有助于减小功率损耗和发热，提高系统效率。
　　该器件具备优异的热稳定性，其最大结温可达150℃，结合合理的散热设计可在高温工业环境中长期可靠运行。同时，FTU09N20C具有较强的抗雪崩能力，能够承受一定程度的电感负载突变或短路冲击，增强了系统的鲁棒性。其体二极管经过特殊优化，具备较快的反向恢复速度（trr约45ns），可有效抑制因反向恢复引起的电压振荡和EMI干扰，特别适用于高频开关电源和电机驱动中的续流路径。
　　在驱动方面，FTU09N20C的栅极电荷（Qg）仅为32nC，意味着所需的驱动能量较小，兼容常见的驱动IC和控制器输出级，降低了驱动电路的设计复杂度和功耗。输入电容（Ciss）为780pF，确保了良好的高频响应特性。此外，±30V的栅源电压容限提供了足够的安全裕量，防止因栅极过压导致的器件损坏。综合来看，FTU09N20C在性能、可靠性与成本之间实现了良好平衡，是中功率开关应用的理想选择之一。

FTU09N20C广泛应用于各类中高功率开关电源系统中，尤其适用于需要高效能、小体积和高可靠性的场合。在AC-DC电源适配器和充电器中，它常被用作主开关管或同步整流管，利用其低导通电阻和快速开关特性来提升转换效率，满足能源之星等能效标准。在DC-DC转换器（如Buck、Boost和Flyback拓扑）中，该器件可作为功率开关元件，实现稳定的电压调节与能量传输，广泛用于通信设备、工业仪表和嵌入式系统供电模块。
　　在电机驱动领域，FTU09N20C可用于中小功率直流电机或步进电机的H桥驱动电路中，提供快速响应和精确控制能力。其良好的热特性和抗过载能力使其能在频繁启停和负载波动的工况下稳定运行。此外，在LED恒流驱动电源中，该MOSFET可作为PWM调光开关或主控开关使用，配合电流检测电路实现精准亮度控制，适用于室内外照明、景观灯带和汽车照明等应用。
　　该器件也常见于太阳能微逆变器、UPS不间断电源和电池管理系统（BMS）中，承担能量转换与通断控制功能。由于其具备一定的抗雪崩能力和抗浪涌能力，能够在电网波动或负载突变时保持系统安全。同时，TO-220和TO-252等标准化封装便于自动化生产和后期维护，适合批量应用。总体而言，FTU09N20C凭借其综合性能优势，在工业控制、消费电子、新能源和智能家电等多个领域均有广泛应用前景。

FQA9N20, STP9NK20Z, IRFPG50, IXTH9N20