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HY57V283220LTP-8 发布时间 时间:2025/9/1 16:01:46 查看 阅读:15

HY57V283220LTP-8 是由现代(Hynix,现为SK Hynix)生产的一款动态随机存取存储器(DRAM)芯片。该芯片属于SDRAM(Synchronous Dynamic Random Access Memory)类别,广泛应用于需要高性能存储器的电子设备中,例如个人电脑、服务器、工业控制设备以及嵌入式系统。这款DRAM芯片具有32MB的存储容量,组织形式为2M x 16 x 8,即2M地址深度,16位数据宽度,8个存储体(bank)。其工作电压为3.3V,属于LVTTL(低电压TTL)接口标准,适用于同步操作。

参数

容量:32MB
  组织结构:2M x 16 x 8
  数据宽度:16位
  工作电压:3.3V
  接口类型:LVTTL
  时钟频率:166MHz
  存取时间:5.4ns
  封装类型:54针TSOP
  工作温度范围:工业级(-40°C至+85°C)

特性

HY57V283220LTP-8 的主要特性包括高性能的同步访问能力、低功耗设计以及适用于工业环境的宽温工作范围。该芯片支持突发模式(burst mode)操作,能够显著提升数据传输效率。此外,它具备自动刷新和自刷新功能,确保数据在无需持续访问时依然保持完整,从而减少外部控制器的负担。其166MHz的时钟频率允许快速访问存储单元,存取时间低至5.4ns,适用于对速度有较高要求的应用场景。采用54针TSOP封装形式,不仅保证了良好的电气性能,同时也便于PCB布局与散热管理。该芯片的工业级温度范围(-40°C至+85°C)使其在极端环境条件下也能稳定运行,因此非常适合工业控制、网络设备以及嵌入式系统等应用领域。

应用

HY57V283220LTP-8 被广泛应用于需要中等容量、高性能存储的系统中,如嵌入式计算机、工业自动化设备、通信基础设施(如路由器和交换机)、测试与测量仪器以及视频处理设备。由于其具备高速访问能力和低功耗特性,该芯片也常见于需要大量数据缓存的图像处理模块和数字信号处理器(DSP)系统。此外,在一些对可靠性要求较高的军用和汽车电子系统中,这款DRAM芯片也因其宽温特性和稳定性能而被选用。

替代型号

IS42S16320BQ-8, KM416S1630CT-8

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