类型：同步整流控制器
　　拓扑结构：反激式（Flyback）
　　工作模式：电流检测型（VDS Sensing）
　　启动电压：典型值 5.5V
　　工作电压范围：4.5V ~ 20V
　　静态电流：典型值 1.2mA
　　输出驱动能力：最高支持 1A 峰值拉电流 / 2A 峰值灌电流
　　开关频率支持：最高可达 500kHz
　　前沿消隐时间：典型值 280ns
　　关断阈值电压：典型值 35mV
　　导通阈值电压：典型值 100mV
　　延迟关断时间：典型值 40ns
　　工作温度范围：-40°C ~ +125°C
　　封装形式：SOT-23-6

FTS1003同步整流控制器的核心特性之一是其基于漏源电压（VDS）检测的智能驱动技术。该技术通过实时监测同步整流MOSFET的VDS电压变化，精确判断MOSFET的导通与关断时机，避免体二极管导通带来的能量损耗，从而大幅提升电源系统的整体转换效率，尤其在轻载和满载条件下均表现出优异的能效表现。
　　芯片内置前沿消隐电路（LEB），可有效抑制开关节点在MOSFET开通瞬间产生的电压尖峰干扰，防止误触发关断动作，提升系统在高频开关环境下的稳定性与可靠性。该消隐时间典型值为280ns，无需外部RC滤波元件即可实现良好的抗噪性能，简化了外围电路设计，降低了BOM成本。
　　FTS1003具备快速响应能力，其导通与关断延迟时间分别仅为40ns左右，确保在高频开关电源中实现精确时序控制，减少交叉导通风险。输出驱动能力强，支持高达2A的峰值灌电流，可直接驱动低栅极电荷（Qg）的功率MOSFET，无需额外增加驱动缓冲电路，进一步缩小PCB面积。
　　该芯片还集成了多重保护机制。当芯片结温超过安全阈值时，过温保护功能会自动关闭输出，防止器件损坏；同时具备宽电压工作范围（4.5V~20V），适应不同输出电压等级的应用需求。内部稳压结构确保在输入电压波动时仍能稳定工作，提升了系统在各种工况下的鲁棒性。
　　此外，FTS1003采用小型化SOT-23-6封装，节省空间，适合高密度电源设计。其低静态电流（1.2mA）有助于满足待机功耗要求严格的能效标准（如Energy Star、DoE Level VI）。整体设计兼顾高效、可靠与成本效益，是现代高能效电源产品中理想的同步整流解决方案。

FTS1003同步整流控制器主要应用于各类需要高效率能量转换的反激式开关电源系统中。典型应用包括手机、平板电脑、笔记本电脑等便携设备的USB充电器与电源适配器，特别是在追求小体积、高功率密度的设计中，FTS1003能够显著提升效率并降低发热，满足65W以下快充方案的需求。
　　在LED照明领域，该芯片可用于恒压或恒流输出的LED驱动电源，帮助实现更高的光效和更长的灯具寿命。由于其良好的动态响应和稳定性，也适用于工业控制设备中的辅助电源模块，如PLC、传感器供电单元等对可靠性要求较高的场合。
　　此外，FTS1003还可用于智能家居设备、无线路由器、机顶盒、电动工具充电器等消费类和工业类电子产品中。在这些应用中，电源效率和散热管理至关重要，使用同步整流技术替代传统二极管整流可有效降低系统温升，提升长期运行的可靠性。
　　在设计上，FTS1003支持连续导通模式（CCM）、断续导通模式（DCM）以及准谐振（QR）模式的反激变换器，具有广泛的拓扑适应性。工程师可通过合理选择外接MOSFET和优化变压器设计，充分发挥其高效节能优势。配合原边控制器（如PWM控制器或数字控制IC），可构建完整的高性能AC-DC电源系统，满足国际能效认证要求。

SY5020A, SR8013, INN3377C, MP6908A