GA1210A821KBCAR31G 是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要应用于开关电源、电机驱动和负载开关等场景。该器件采用先进的制造工艺,具有低导通电阻、高开关速度和优异的热性能,可显著提升系统效率并降低能耗。
此型号属于沟道增强型功率场效应晶体管(Power MOSFET),能够承受较高的电压和电流,同时具备良好的稳定性和可靠性。
类型:N-Channel MOSFET
最大漏源电压(VDS):120V
最大栅源电压(VGS):±20V
最大连续漏极电流(ID):10A
导通电阻(RDS(on)):8.2mΩ
总功耗(PD):150W
工作温度范围(TJ):-55℃ to 175℃
封装形式:TO-247
GA1210A821KBCAR31G 提供了出色的电气性能,适用于高功率密度应用。
1. 极低的导通电阻RDS(on),有效减少传导损耗,提高整体效率。
2. 高速开关能力,有助于降低开关损耗,适合高频应用。
3. 内置ESD保护功能,增强了器件在恶劣环境下的稳定性。
4. 支持宽范围的工作温度,确保在极端条件下依然保持可靠运行。
5. 符合RoHS标准,环保且满足全球市场准入要求。
6. 可靠性测试严格,使用寿命长,故障率低。
该功率MOSFET广泛应用于以下领域:
1. 开关模式电源(SMPS)中的主开关管或同步整流管。
2. 直流无刷电机驱动电路中的功率级控制。
3. 工业自动化设备中的负载切换与保护。
4. 太阳能逆变器及储能系统的功率转换模块。
5. 电动汽车电池管理系统(BMS)中用于电流调节和过载保护。
6. 各类大功率电子负载和配电系统。
IRFP250N
STP10NK120Z
FQP17N120C