您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > GA1210A821KBCAR31G

GA1210A821KBCAR31G 发布时间 时间:2025/5/29 13:20:59 查看 阅读:9

GA1210A821KBCAR31G 是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要应用于开关电源、电机驱动和负载开关等场景。该器件采用先进的制造工艺,具有低导通电阻、高开关速度和优异的热性能,可显著提升系统效率并降低能耗。
  此型号属于沟道增强型功率场效应晶体管(Power MOSFET),能够承受较高的电压和电流,同时具备良好的稳定性和可靠性。

参数

类型:N-Channel MOSFET
  最大漏源电压(VDS):120V
  最大栅源电压(VGS):±20V
  最大连续漏极电流(ID):10A
  导通电阻(RDS(on)):8.2mΩ
  总功耗(PD):150W
  工作温度范围(TJ):-55℃ to 175℃
  封装形式:TO-247

特性

GA1210A821KBCAR31G 提供了出色的电气性能,适用于高功率密度应用。
  1. 极低的导通电阻RDS(on),有效减少传导损耗,提高整体效率。
  2. 高速开关能力,有助于降低开关损耗,适合高频应用。
  3. 内置ESD保护功能,增强了器件在恶劣环境下的稳定性。
  4. 支持宽范围的工作温度,确保在极端条件下依然保持可靠运行。
  5. 符合RoHS标准,环保且满足全球市场准入要求。
  6. 可靠性测试严格,使用寿命长,故障率低。

应用

该功率MOSFET广泛应用于以下领域:
  1. 开关模式电源(SMPS)中的主开关管或同步整流管。
  2. 直流无刷电机驱动电路中的功率级控制。
  3. 工业自动化设备中的负载切换与保护。
  4. 太阳能逆变器及储能系统的功率转换模块。
  5. 电动汽车电池管理系统(BMS)中用于电流调节和过载保护。
  6. 各类大功率电子负载和配电系统。

替代型号

IRFP250N
  STP10NK120Z
  FQP17N120C

GA1210A821KBCAR31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容820 pF
  • 容差±10%
  • 电压 - 额定200V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1210(3225 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.098" 宽(3.20mm x 2.50mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.076"(1.94mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-