时间：2025/5/29 13:20:59
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GA1210A821KBCAR31G 是一款高性能的功率MOSFET芯片，主要应用于开关电源、电机驱动和负载开关等场景。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻、高开关速度和优异的热性能，可显著提升系统效率并降低能耗。
此型号属于沟道增强型功率场效应晶体管（Power MOSFET），能够承受较高的电压和电流，同时具备良好的稳定性和可靠性。
类型：N-Channel MOSFET
最大漏源电压(VDS)：120V
最大栅源电压(VGS)：±20V
最大连续漏极电流(ID)：10A
导通电阻(RDS(on))：8.2mΩ
总功耗(PD)：150W
工作温度范围(TJ)：-55℃ to 175℃
封装形式：TO-247
GA1210A821KBCAR31G 提供了出色的电气性能，适用于高功率密度应用。
1. 极低的导通电阻RDS(on)，有效减少传导损耗，提高整体效率。
2. 高速开关能力，有助于降低开关损耗，适合高频应用。
3. 内置ESD保护功能，增强了器件在恶劣环境下的稳定性。
4. 支持宽范围的工作温度，确保在极端条件下依然保持可靠运行。
5. 符合RoHS标准，环保且满足全球市场准入要求。
6. 可靠性测试严格，使用寿命长，故障率低。
该功率MOSFET广泛应用于以下领域：
1. 开关模式电源（SMPS）中的主开关管或同步整流管。
2. 直流无刷电机驱动电路中的功率级控制。
3. 工业自动化设备中的负载切换与保护。
4. 太阳能逆变器及储能系统的功率转换模块。
5. 电动汽车电池管理系统（BMS）中用于电流调节和过载保护。
6. 各类大功率电子负载和配电系统。
IRFP250N
STP10NK120Z
FQP17N120C
