时间：2025/5/29 13:20:59
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GA1210A821KBCAR31G 是一款高性能的功率MOSFET芯片，主要应用于开关电源、电机驱动和负载开关等场景。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻、高开关速度和优异的热性能，可显著提升系统效率并降低能耗。
此型号属于沟道增强型功率场效应晶体管（Power MOSFET），能够承受较高的电压和电流，同时具备良好的稳定性和可靠性。
类型：N-Channel MOSFET
最大漏源电压(VDS)：120V
最大栅源电压(VGS)：±20V
最大连续漏极电流(ID)：10A
导通电阻(RDS(on))：8.2mΩ
总功耗(PD)：150W
工作温度范围(TJ)：-55℃ to 175℃
封装形式：TO-247
GA1210A821KBCAR31G 提供了出色的电气性能，适用于高功率密度应用。
1. 极低的导通电阻RDS(on)，有效减少传导损耗，提高整体效率。
2. 高速开关能力，有助于降低开关损耗，适合高频应用。
3. 内置ESD保护功能，增强了器件在恶劣环境下的稳定性。
4. 支持宽范围的工作温度，确保在极端条件下依然保持可靠运行。
5. 符合RoHS标准，环保且满足全球市场准入要求。
6. 可靠性测试严格，使用寿命长，故障率低。
该功率MOSFET广泛应用于以下领域：
1. 开关模式电源（SMPS）中的主开关管或同步整流管。
2. 直流无刷电机驱动电路中的功率级控制。
3. 工业自动化设备中的负载切换与保护。
4. 太阳能逆变器及储能系统的功率转换模块。
5. 电动汽车电池管理系统（BMS）中用于电流调节和过载保护。
6. 各类大功率电子负载和配电系统。
IRFP250N
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FQP17N120C
