FTR-C1GA003G-B05 是由富士通(Fujitsu)公司生产的一款高性能、低功耗的FRAM(铁电随机存取存储器)芯片。该器件结合了传统SRAM的高速读写特性和非易失性存储器的数据保持能力,能够在断电情况下长期保存数据,同时具备几乎无限次的读写耐久性。FTR-C1GA003G-B05 的存储容量为4兆位(Mb),组织形式为512K × 8位,采用标准的并行接口设计,兼容通用的SRAM时序,便于系统集成和替换传统SRAM或EEPROM。该芯片广泛应用于需要频繁写入、高可靠性及快速数据保存的工业控制、医疗设备、网络通信和智能仪表等领域。其核心优势在于无需等待写入周期,所有写操作均以总线速度完成,极大提升了系统响应效率,并消除了因写延迟导致的数据丢失风险。此外,该器件工作电压范围宽,支持3.0V至3.6V供电,适合多种电源环境下的稳定运行。
型号:FTR-C1GA003G-B05
制造商:Fujitsu
存储容量:4 Mbit (512K × 8)
接口类型:并行
工作电压:3.0V ~ 3.6V
最大访问时间:55 ns
工作温度范围:-40°C 至 +85°C
封装形式:TSOP-II, 44-pin
写入耐久性:10^14 次读/写周期
数据保持时间:10年(在+85°C下)
封装尺寸:12.0mm × 20.0mm × 1.0mm
只读模式电流:15 mA(典型值)
写入模式电流:20 mA(典型值)
待机电流:10 μA(最大值)
FTR-C1GA003G-B05 的核心特性之一是其基于铁电技术的非易失性存储单元,这使其在无需外部电池或超级电容的情况下仍能实现数据的永久保存。与传统的EEPROM或Flash存储器不同,FRAM不需要长时间的写入周期,所有写操作均可在单个总线周期内完成,且没有写入寿命限制,典型耐久性高达10^14次,远超Flash的10^5次和EEPROM的10^6次。这种特性使得FTR-C1GA003G-B05特别适用于需要高频写入的应用场景,例如实时数据采集、日志记录和事务处理系统。
该芯片还具备极高的抗辐射能力和稳定性,在恶劣电磁环境下仍能保持数据完整性,适用于工业自动化、航空航天及医疗设备等高可靠性要求的领域。其55ns的快速访问时间确保了与高速微处理器的无缝对接,提升了整体系统的响应性能。此外,FTR-C1GA003G-B05 支持CMOS兼容电平输入,易于与现有数字系统集成,无需额外电平转换电路。
在功耗方面,该器件表现出色。在正常读写操作下,工作电流仅为20mA左右,而在待机模式下,电流可低至10μA,显著降低了系统整体能耗,延长了电池供电设备的使用寿命。其宽温工作范围(-40°C至+85°C)进一步增强了环境适应能力,可在极端温度条件下稳定运行。封装采用标准44引脚TSOP-II,符合行业通用规范,便于PCB布局和自动化贴装工艺。此外,该芯片内置数据保护机制,防止意外写入或擦除,提高了系统的安全性与可靠性。
FTR-C1GA003G-B05 广泛应用于对数据写入频率高、可靠性要求严苛的嵌入式系统中。在工业控制领域,常用于PLC(可编程逻辑控制器)、传感器节点和远程I/O模块中,用于实时保存工艺参数、运行日志和故障记录,确保在突发断电时关键数据不丢失。在医疗设备中,如病人监护仪、便携式诊断设备和输液泵,该芯片可用于存储患者治疗数据、设备校准信息和使用历史,满足医疗行业对数据完整性和安全性的严格要求。
在网络通信设备中,FTR-C1GA003G-B05 可作为配置存储器,用于保存路由表、IP地址设置和固件参数,其高速写入能力可显著缩短设备重启和配置更新时间。在智能仪表领域,如智能电表、水表和燃气表,该芯片用于记录用户用量数据和事件日志,即使在电网波动或人为断电情况下也能确保计量数据的准确性。
此外,该器件也适用于汽车电子系统,如车载黑匣子(EDR)、车身控制模块和高级驾驶辅助系统(ADAS),用于记录车辆运行状态和事故前后的关键信息。在POS终端和金融交易设备中,FTR-C1GA003G-B05 能够快速保存交易记录和票据信息,防止因断电导致的交易丢失,提升系统可信度。由于其无铅环保封装设计,符合RoHS指令要求,适用于出口型电子产品和绿色制造项目。
CY15B104QSI-ZS