时间：2025/12/29 14:19:59
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FTD100N10A 是一款由富昌电子（Fujian Micro）推出的高性能 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件专为高效率、高频率的开关应用而设计，适用于电源管理、电机控制、DC-DC 转换器、负载开关以及各类工业和消费类电子产品中。FTD100N10A 具有低导通电阻（Rds(on)）、高电流承载能力和良好的热稳定性，能够在高工作频率下保持较低的开关损耗，从而提高整体系统效率。
类型：N 沟道增强型 MOSFET
漏源电压（Vds）：100V
栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：100A（在 25°C）
导通电阻（Rds(on)）：≤ 6.5mΩ（在 Vgs=10V）
功耗（Pd）：250W
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
封装形式：TO-263（D2PAK）、TO-220、TO-252（DPAK）等
FTD100N10A 的核心特性之一是其极低的导通电阻（Rds(on)），这使得在高电流工作条件下，MOSFET 的导通损耗显著降低，从而提高了整体能效。该器件在设计上采用了先进的沟槽式栅极技术，优化了载流子分布，增强了器件的开关性能和导通能力。
此外，FTD100N10A 具备较高的电流承载能力和良好的热稳定性，能够在高温环境下稳定工作。其最大持续漏极电流可达 100A，在脉冲工作条件下，甚至可以承受更高的峰值电流。这一特性使其非常适合用于高功率密度设计，如服务器电源、工业电机驱动以及电池管理系统等应用。
该 MOSFET 还具有快速的开关速度，能够适应高频开关应用场景，如同步整流、DC-DC 转换器和高频逆变器等。快速开关特性有助于减小外部滤波元件的体积，从而实现更紧凑的电路设计。
FTD100N10A 在封装上提供了多种选择，包括 TO-263、TO-220 和 TO-252 等常见功率封装形式，方便用户根据具体应用场景进行选择。不同的封装形式可满足不同散热和空间需求，从而实现灵活的 PCB 布局和热管理设计。
FTD100N10A 主要应用于高功率和高效率的电力电子系统中。其主要使用场景包括：
1. **电源管理系统**：适用于服务器电源、通信设备电源、不间断电源（UPS）以及各类高效率 DC-DC 转换器，用于实现高效的功率转换与分配。
2. **电机控制**：可用于直流电机、无刷直流电机（BLDC）以及步进电机的驱动电路，提供高效率的开关控制能力。
3. **负载开关**：在电源管理电路中作为高侧或低侧开关，用于控制电源的通断，适用于笔记本电脑、平板电脑、智能家电等设备中的电源管理模块。
4. **电池管理系统（BMS）**：在锂电池管理系统中，用于充放电控制、过流保护及均衡控制等关键功能，确保电池组的安全运行。
5. **逆变器与变频器**：在光伏逆变器、电动工具和变频空调等应用中，FTD100N10A 可用于高频开关电路，实现高效的能量转换。
SiHF100N10DY, IPW90R120C3, STP100N10F7
