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FTA1241 发布时间 时间:2025/8/16 17:00:54 查看 阅读:28

FTA1241 是一款由 Fairchild Semiconductor(飞兆半导体)生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。该器件设计用于高效率、高频率的开关应用,常见于电源管理、DC-DC 转换器、电机控制以及负载开关等场合。FTA1241 采用先进的沟槽式 MOSFET 技术,具有低导通电阻(Rds(on))、高电流承载能力和优异的热性能。

参数

类型:N 沟道 MOSFET
  最大漏源电压(Vds):30V
  最大栅源电压(Vgs):±20V
  最大连续漏极电流(Id):6.5A
  导通电阻(Rds(on)):28mΩ @ Vgs=10V,40mΩ @ Vgs=4.5V
  功耗(Pd):2.5W
  工作温度范围:-55°C ~ 150°C
  封装形式:TO-252(DPAK)

特性

FTA1241 具有多个显著的性能优势。首先,其低导通电阻能够显著降低导通状态下的功率损耗,从而提高整体系统的效率。这对于电池供电设备和高能效电源转换器尤为重要。
  其次,该器件支持高达 6.5A 的连续漏极电流,能够在较高负载条件下稳定工作,适用于中等功率级别的应用。此外,其最大漏源电压为 30V,使其适用于多种低压直流系统的开关控制。
  在驱动特性方面,FTA1241 的栅极电荷(Qg)较低,有助于减少开关损耗,使其适用于高频开关应用。该器件的栅源电压范围为 ±20V,具备较好的驱动兼容性,可与多种控制器或驱动 IC 配合使用。
  封装方面,FTA1241 采用 TO-252(DPAK)表面贴装封装,具有良好的热管理能力,便于散热并适合自动化生产流程。这种封装形式在保证良好电气性能的同时,也提升了器件的可靠性和耐用性。
  最后,该 MOSFET 的工作温度范围宽达 -55°C 至 150°C,适应性强,适用于工业级和汽车电子应用环境。

应用

FTA1241 广泛应用于多种电子系统中,尤其是在需要高效、高频开关性能的场合。典型应用包括同步整流 DC-DC 降压/升压转换器、负载开关电路、电机驱动器、电源管理系统以及电池充电电路等。
  在电源管理方面,该器件可用于笔记本电脑、平板电脑、智能手机等便携式设备的电源模块中,实现高效的能量转换和管理。在工业自动化设备中,FTA1241 可用于电机控制、继电器替代以及工业电源模块。
  此外,由于其良好的热性能和电流承载能力,FTA1241 也常用于汽车电子系统,如车载充电器、电动助力转向系统(EPS)中的功率控制模块等。
  在 LED 照明系统中,该 MOSFET 可作为开关元件,用于调节 LED 的亮度或实现 PWM 控制。其低导通电阻和快速开关特性能够有效降低能耗并提高照明系统的稳定性。

替代型号

Si2302DS, FDS6680, IRF7409, FDMS86101

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