时间：2025/12/26 18:46:01
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FTA09N90A是一款由ON Semiconductor（安森美）生产的高压、大功率N沟道MOSFET晶体管，广泛应用于高效率开关电源系统中。该器件采用先进的平面栅极工艺技术制造，具有优异的导通电阻与栅极电荷平衡特性，适用于需要高击穿电压和稳定性能的工业级应用场景。其额定漏源电压（VDS）高达900V，能够承受极端的电压瞬变，确保在恶劣工作环境下的可靠性。FTA09N90A特别适合用于离线式开关电源、DC-DC转换器、照明镇流器以及电机驱动等高电压拓扑结构中。该MOSFET封装形式为TO-247，具备良好的热传导能力，可在较高功率密度下长期稳定运行。得益于其优化的动态参数，该器件在高频开关条件下仍能保持较低的开关损耗，从而提升整体系统效率。此外，它还具备良好的抗雪崩能力和坚固的栅极氧化层设计，增强了器件在过压、过流情况下的鲁棒性。FTA09N90A符合RoHS环保标准，适用于对环境要求较高的现代电子设备。
该器件的主要目标市场包括工业电源、电信基础设施、新能源系统如太阳能逆变器等领域。由于其高耐压和高可靠性，FTA09N90A常被选作关键功率开关元件，在反激式、正激式或LLC谐振转换器中发挥核心作用。工程师在使用该器件时需注意适当的散热设计与栅极驱动匹配，以充分发挥其性能优势并避免热失控或误触发问题。
型号：FTA09N90A
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压（VDS）：900 V
最大栅源电压（VGS）：±30 V
连续漏极电流（ID）@25°C：9 A
脉冲漏极电流（IDM）：36 A
最大功耗（PD）：200 W
导通电阻（RDS(on)）@10V VGS：1.1 Ω
导通电阻（RDS(on)）@10V VGS 最大值：1.35 Ω
阈值电压（VGS(th)）典型值：4.5 V
输入电容（Ciss）@25°C：1300 pF
输出电容（Coss）@25°C：80 pF
反向恢复时间（trr）：120 ns
工作结温范围（TJ）：-55 至 150 °C
封装类型：TO-247
FTA09N90A具备卓越的高压处理能力，其900V的漏源击穿电压使其能够在高压离线应用中可靠运行，例如在通用输入电压范围（85–265V AC）下的电源系统中提供足够的安全裕量。该器件采用先进的平面场效应晶体管技术，实现了低导通电阻与高电压耐受性的良好结合，有效降低了导通损耗，提高系统效率。其典型的RDS(on)为1.1Ω，在同类900V器件中表现出较强的竞争力，有助于减少发热并简化散热设计。同时，该MOSFET具有较低的栅极电荷（Qg），典型值约为50nC，这显著降低了驱动电路所需的能量，使器件更适合高频开关操作，进一步提升电源系统的功率密度。
另一个重要特性是其出色的热稳定性与长期可靠性。TO-247封装提供了优良的热阻性能（约0.625°C/W），允许器件在高功率条件下有效散热，防止因温度过高而导致性能下降或损坏。此外，该器件具备较强的抗雪崩能力，经过设计优化以承受非钳位电感开关（UIS）事件，提升了在异常工况下的生存能力。其坚固的栅极结构支持±30V的栅源电压范围，增强了对驱动噪声和电压尖峰的容忍度，减少误开通风险。动态参数方面，输出电容小且线性度好，有利于软开关拓扑中的能量回收；体二极管的反向恢复时间较短（120ns），减少了开关瞬间的电流尖峰和电磁干扰（EMI）。
FTA09N90A还通过了严格的工业级认证，符合AEC-Q101标准的部分测试要求，适用于对可靠性要求较高的场合。其制造过程遵循无铅和符合RoHS规范的流程，支持环保生产需求。综合来看，该器件在高压、高效率、高可靠性三者之间取得了良好平衡，是许多中高端电源设计中的理想选择。
FTA09N90A主要应用于各类高电压、高效率的开关电源系统中，典型用途包括AC-DC电源适配器、工业用开关模式电源（SMPS）、服务器和通信设备电源单元、LED照明驱动电源以及太阳能微型逆变器等。由于其具备900V高耐压能力，特别适用于宽输入电压范围的离线式反激变换器设计，可直接连接整流后的市电而不需额外的电压钳位电路。在家电领域，它也被用于空调、洗衣机等变频控制系统的辅助电源部分。此外，该器件还可用于电机驱动电路中的高压侧开关、电子镇流器以及不间断电源（UPS）系统中的DC-DC升压或降压模块。凭借其良好的热性能和稳定的电气参数，FTA09N90A在长时间连续运行的工业环境中表现优异，是追求高可靠性和长寿命产品的优选器件。
FQA9N90C, STW9N90, IRFGB40
