时间：2025/7/9 9:18:55
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FTA08N50D 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于高频开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动等电力电子领域。该器件采用 TO-220 封装，具有低导通电阻和快速开关特性，能够有效减少能量损耗并提高系统效率。
FTA08N50D 的最大额定电压为 500V，使其适合在高电压环境下工作。同时，其较低的栅极电荷和输入电容确保了高效的开关性能。
最大漏源电压：500V
连续漏极电流：8A
导通电阻：1.4Ω
栅源电压：±20V
功耗：130W
结温范围：-55℃至+150℃
1. 高击穿电压：FTA08N50D 提供高达 500V 的漏源极电压耐受能力，适用于高压应用环境。
2. 低导通电阻：在典型条件下，导通电阻仅为 1.4Ω，减少了导通损耗。
3. 快速开关特性：低栅极电荷和输入电容设计，确保快速开启和关闭，从而降低开关损耗。
4. 热稳定性：具备良好的热稳定性，能够在较宽的温度范围内可靠运行。
5. TO-220 封装：便于安装和散热，适合多种工业应用场景。
FTA08N50D 常用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）
2. DC-DC 转换器
3. 电机驱动与控制
4. UPS 不间断电源
5. 逆变器
6. 工业自动化设备中的功率控制模块
IRF540N, FQA8N50C, STP8NK50Z
