类型：肖特基二极管阵列
　　配置：双通道共阴极
　　最大正向电流（IF）：300 mA
　　峰值反向电压（VRM）：30 V
　　正向电压（VF）：最大0.45 V @ 300 mA
　　反向漏电流（IR）：最大10 μA @ 25°C，30 V
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：SOT-23

CXM3535XR-T2 采用了高性能的硅肖特基结技术，使其在高频应用中表现优异。其低正向压降特性可以显著减少功率损耗，提高能效，这对于电池供电设备或高能效要求的系统尤为重要。此外，该器件具有极短的反向恢复时间（trr），可在高速开关应用中稳定工作，减少开关损耗和电磁干扰（EMI）。
　　该器件内部集成两个独立的肖特基二极管，共阴极结构便于在电路设计中使用，例如在DC-DC同步整流或反激式转换器中作为输出整流器。SOT-23封装不仅节省空间，还具备良好的热稳定性，适用于紧凑型电子产品设计。
　　值得一提的是，CXM3535XR-T2 的反向漏电流在高温下仍保持较低水平，确保在高温环境中运行的可靠性，从而延长设备使用寿命。其高浪涌电流承受能力也使其在瞬态负载条件下具有良好的稳定性。

CXM3535XR-T2 主要用于需要高效整流和快速开关的场合。典型应用包括AC-DC和DC-DC电源转换器中的同步整流器、电池充电器、负载开关、电压参考电路、电源管理单元、LED驱动电路以及各种便携式电子设备的电源模块。此外，该器件也适用于通信设备、消费类电子产品和工业控制系统中的电源部分。

1N5819W-T, B130L-B, CXM3525XR-T2