FTA04N60D 时间：2025/12/26 18:52:40 阅读：13

FTA04N60D是一款由ON Semiconductor（安森美）生产的高压超快恢复功率MOSFET器件，专为高效率开关电源应用设计。该器件采用先进的平面栅极工艺制造，具备优良的开关性能和导通特性，适用于需要高耐压和低导通损耗的应用场景。其额定电压为600V，连续漏极电流可达4A（在25°C下），适合用于AC-DC转换器、离线式开关电源、照明镇流器以及其他中等功率电源系统中。该MOSFET具有内置快速恢复体二极管，能够显著减少反向恢复电荷（Qrr），从而降低开关损耗并提高整体系统效率。此外，FTA04N60D还具备良好的热稳定性和可靠性，能够在高温环境下稳定运行，满足工业级和消费类电子产品的严格要求。封装形式为TO-220FP或类似通孔封装，便于散热安装和PCB布局。

参数

型号：FTA04N60D
　　类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：600V
　　最大漏极电流（Id）：4A @ 25°C
　　最大脉冲漏极电流（Idm）：16A
　　最大功耗（Pd）：125W
　　栅极阈值电压（Vgs(th)）：2.0V ~ 4.0V
　　导通电阻（Rds(on)）：< 1.8Ω @ Vgs = 10V
　　输入电容（Ciss）：730pF @ Vds = 25V
　　输出电容（Coss）：180pF @ Vds = 25V
　　反向恢复时间（trr）：约45ns
　　二极管反向恢复电荷（Qrr）：约37nC
　　工作结温范围（Tj）：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：TO-220FP

特性

FTA04N60D的核心优势之一在于其集成的超快恢复体二极管技术，这在传统的功率MOSFET中并不常见。大多数标准MOSFET的体二极管反向恢复特性较差，容易在硬开关电路中产生较大的反向恢复电流尖峰，导致额外的开关损耗和电磁干扰（EMI）。而FTA04N60D通过优化PN结结构和载流子寿命控制工艺，显著降低了体二极管的反向恢复电荷（Qrr）和反向恢复时间（trr），使得其在连续导通模式（CCM）功率因数校正（PFC）电路或LLC谐振转换器中表现出色。
　　该器件的600V击穿电压使其适用于全球通用输入电压范围（85VAC ~ 265VAC）的离线式电源设计，无需额外的电压裕量即可安全运行。同时，其较低的导通电阻（Rds(on) < 1.8Ω）有助于减少导通期间的I2R损耗，提升整体能效。栅极电荷（Qg）也经过优化，在保证足够驱动能力的同时，不会显著增加驱动电路的负担，适合与常见的PWM控制器配合使用。
　　热性能方面，TO-220FP封装提供了良好的热传导路径，可通过外接散热片有效将结温控制在安全范围内。器件符合RoHS环保标准，并具备高抗雪崩能力，能够在瞬态过压条件下保持可靠工作。此外，其高度集成的设计减少了外围元件数量，简化了电源拓扑结构，提高了系统可靠性并降低了整体BOM成本。

应用

FTA04N60D广泛应用于各类中等功率开关电源系统中，尤其是在需要高效能和高可靠性的场合。典型应用包括：交流-直流（AC-DC）离线式开关电源，如适配器、充电器和开放式电源；照明电源系统，如电子镇流器、LED驱动电源和紧凑型荧光灯（CFL）控制电路；工业电源模块和辅助电源单元（如待机电源SMPS）；家用电器中的电源部分，如电视、音响设备和微波炉的内部控制电源；以及通信设备中的板载DC-DC前级转换器。由于其内置快恢复二极管的特性，特别适合用于连续导通模式（CCM）功率因数校正（PFC）升压转换器中，作为主开关器件，可有效避免传统方案中需外加快恢复二极管的问题，从而节省空间和成本。此外，在LLC半桥或全桥谐振转换器中，该器件也能胜任主开关角色，尤其适用于对EMI和效率有较高要求的设计。