FSV340FP 是一款由意法半导体(STMicroelectronics)推出的高效能 N 沟道功率 MOSFET。该器件采用 TO-220 封装,适用于多种工业和汽车应用中的开关和功率转换场景。其出色的导通电阻和快速开关特性使其成为设计紧凑型、高效电源解决方案的理想选择。
FSV340FP 的额定电压为 40V,最大电流能力超过 100A(根据脉冲条件),能够满足高功率应用的需求。此外,该产品还具备较低的栅极电荷和输出电容,从而显著提高了开关效率并降低了能耗。
类型:N沟道 MOSFET
封装:TO-220
额定电压:40V
额定电流:100A(脉冲条件下)
导通电阻(Rds(on)):3.5mΩ(典型值,Vgs=10V)
栅极电荷:16nC(典型值)
总功耗:175W
工作温度范围:-55°C 至 +175°C
1. 极低的导通电阻 (Rds(on)),有助于降低传导损耗并提高系统效率。
2. 快速的开关速度,适合高频开关应用,减少开关损耗。
3. 高电流承载能力,确保在大负载条件下稳定运行。
4. 宽广的工作温度范围 (-55°C 至 +175°C),适应恶劣环境下的使用需求。
5. 符合 AEC-Q101 标准,专为汽车级应用而优化。
6. 内置保护功能,例如过流保护和热关断机制,增强可靠性。
7. 紧凑且坚固的 TO-220 封装形式,便于安装与散热管理。
1. 开关电源 (SMPS) 中的主开关或同步整流器。
2. 直流-直流 (DC-DC) 转换器中的功率开关元件。
3. 电机驱动电路中的功率级控制。
4. 电池管理系统 (BMS) 的充放电路径控制。
5. 汽车电子系统,如启动马达、电动助力转向等。
6. 工业自动化设备中的负载切换和功率调节。
7. 太阳能逆变器及储能系统的功率转换模块。
1. IRFZ44N:同样为 N 沟道 MOSFET,具有相似的电压和电流规格,但导通电阻稍高。
2. STP120NF40:同属意法半导体家族,性能接近,适用于类似应用场景。
3. FDP5800:来自 Fairchild 的替代品,提供更低的导通电阻和更高的效率。
4. AO3400:一款经济高效的替代方案,广泛用于消费类电子产品中。